Об утверждении Единого
тарифно-квалификационного
справочника работ и профессий
рабочих (выпуск 20)
В соответствии с подпунктом 16-1) статьи 16 Трудового кодекса Республики Казахстан от 23 ноября 2015 года ПРИКАЗЫВАЮ:
1) государственную регистрацию настоящего приказа в Министерстве юстиции Республики Казахстан;
2) размещение настоящего приказа на официальном интернет-ресурсе Министерства труда и социальной защиты населения Республики Казахстан после его официального опубликования;
3) в течение десяти рабочих дней после государственной регистрации настоящего приказа представление в Департамент юридической службы Министерства труда и социальной защиты населения Республики Казахстан сведений об исполнении мероприятий, предусмотренных подпунктами 1) и 2) настоящего пункта.
Приложение к приказу
Единый тарифно-квалификационный справочник
работ и профессий рабочих (выпуск 20)
Глава 1. Введение
полупроводниковому производству;
пьезотехническому производству;
производству радиодеталей;
электровакуумноу производству;
производству изделий электронной техники (общие профессии).
Глава 2. Тарифно-квалификационные характеристики профессий рабочих по разрядам на работы по полупроводниковому производству
Параграф 1. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 2 разряд
напыление однослойных пленок металлов и стекол на вакуумных и плазменных установках;
установка подложек и масок без точного совмещения экранов и испарителей в рабочую камеру установки;
загрузка навесок испаряемых металлов и стекол на испарители различных конструкций;
замеры толщины в процессе напыления, контроль сплошности и адгезии.
назначение, устройство и правила эксплуатации обслуживаемых установок;
назначение и принцип работы применяемых контрольно-измерительных приборов;
правила пользования и обращения с ними;
назначение процесса откачки;
способы и методы контроля степени вакуума;
режимы испарения и осаждения распыляемого материала.
Параграф 2. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 3 разряд
напыление многослойных пленочных микросхем на вакуумных и плазменных установках;
установка подложек, масок, экранов и испарителей в рабочую камеру вакуумной установки;
загрузка навесок испаряемых материалов (золото, алюминий, нихром и другое) на испарители различных конструкций;
замена мишеней на установках магнетронного напыления;
контроль электрических параметров процесса напыления;
определение качества напыляемых слоев и толщины полученных пленок с помощью микроскопа.
устройство, принцип действия и способы подналадки обслуживаемого оборудования;
устройство универсальных и специальных приспособлений, контрольно-измерительных приборов;
назначение процесса откачки;
режимы испарения и осаждения распыляемого материала;
способы и методы контроля степени вакуума;
основные свойства и характеристики испаряемых материалов;
основные законы электротехники и вакуумной техники.
1) кристаллические элементы кварцевых резонаторов – напыление;
2) приборы квантовые - напыление трехслойных зеркал;
3) подложки, пленки, ситалловые спутники - напыление алюминия, золота, нихрома, индия, ванадия, никеля, молибдена с контролем качества и толщины напыленного слоя;
4) резисторы - напыление на ситалловую подложку через маску.
Параграф 3. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 4 разряд
напыление одного и нескольких слоев металлов на пластины, а также пленки на вакуумных установках с термическим распылением;
обслуживание вакуумных установок различных типов, в том числе с магнетронным способом напыления;
определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению;
корректировка режимов напыления по результатам контрольного процесса;
регистрация и поддержание режимов осаждения с помощью контрольно-измерительной аппаратуры;
определение качества напыленных слоев и толщины полученных пленок с помощью микроскопа.
устройство вакуумных установок различных моделей;
кинематику, электрические и вакуумные схемы;
правила наладки и проверки на точность обслуживаемого оборудования;
устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных инструментов и приборов;
конструкцию универсальных и специальных приспособлений;
способы отыскания течей;
основные свойства пленок, используемых для получения токоведущих, резистивных и изоляционных элементов микросхем;
основы физического процесса получения тонких пленок;
основные виды брака и причины его возникновения.
1) конденсаторы тонкопленочные - напыление меди, нихрома, многоокиси кремния;
2) микросхемы (с малой степенью интеграции), высокочастотные транзисторы - напыление на пластину алюминия, золота, нихрома, молибдена, систем:
олибден-алюминий, титан-алюминий, вольфрам-алюминий, вольфрам-алюминий-вольфрам;
3) микроструктуры многослойные пленочные - получение методом напыления в вакууме с контролем качества и толщины пленок.
4) пластины с заданным рельефом - получение методом термического испарения трехслойного выпрямляющего контакта;
5) платы анодные для люминесцентных индикаторов - напыление нескольких слоев металла (хром, никель, медь);
6) пленки (триацетатные, полиэтилентерефталатные - напыление алюминия;
7) приборы квантовые - напыление пятислойных зеркал;
8) фотошаблоны металлизированные - напыление хрома.
Параграф 4. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 5 разряд
напыление различными способами (термическое испарение, катодное распыление, электронно-лучевое и магнетронное напыление) однослойных и многослойных пленочных микроструктур для изделий с субмикронными размерами или с повышенной степенью интеграции с выбором оптимальных режимов напыления в пределах допусков, указанных в технологической документации;
обслуживание установок с программным управлением;
наблюдение за режимами процесса;
работа с измерительной аппаратурой с целью регистрации и поддержания режимов осаждения пленок;
сравнительный контроль качества просветляющих пленок по эталону.
электрические и вакуумные схемы;
способы проверки на точность различных моделей вакуумных напылительных установок;
конструкцию обслуживаемого оборудования;
правила определения режимов работы оборудования для получения металлических, резистивных пленок;
правила настройки и регулирования контрольно-измерительных инструментов и приборов;
электрофизические свойства взаимодействия полупроводник-металл, металл-металл;
основы электротехники и порядок работы вакуумной техники.
1) диски для видиконов - двух-, трехслойное напыление;
2) линзы из стекла «К-8» оптической толщины l\4 нанесение одного слоя фторида магния (просветление);
3) металл - диэлектрик - полупроводник-структуры - изготовление молибденового затвора;
4) пластины «Сч As» мышьяк – напыление серебра с подслоем хрома;
5) пластины стеклянные - напыление маскирующих, кварцевых покрытий;
6) пластины полупроводниковые (диодные матрицы, сверхвысокой частоты - транзисторы, большие интегральные схемы, сверхбольшие интегральные схемы, запоминающие устройства, стабилитроны) - одно или двухслойное напыление различными способами;
7) пленка полистирольная или стирофлексная, конденсаторная бумага - напыление различных металлов на вакуумной установке;
8) пленки полупроводниковые и контактные площадки - напыление на монокристаллические подложки германия, кремния, арсенида галлия;
9) подложки кварцевые - нанесение 15 слоев равной оптической толщины l\4 (зеркало с коэффициентом отражения 99 процентов);
10) приборы квантовые - напыление cеми-, одиннадцати- слойных зеркал.
Параграф 5. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 6 разряд
напыление металлических, резистивных и диэлектрических пленок на установках различных типов;
самостоятельный выбор способа нанесения пленок (термическое осаждение в вакууме, катодное распыление, осаждение из газовой фазы, электронно-лучевое и магнетронное напыление и так далее);
отработка режимов напыления.
конструкцию, способы и правила проверки на точность различных типов оборудования для напыления микропленочных структур;
методы определения способа нанесения пленок и последовательности процесса;
правила определения режимов получения пленочных микроструктур;
методы контроля параметров пленок;
физику процесса получения пленочных микроструктур различными способами.
1) микросхемы пленочные, полупроводниковые приборы - изготовление опытных образцов на установках различных типов с двухслойной или многослойной металлизацией;
2) пластины кремния различных типов - сплавление с одновременным нанесением алюминия;
3) пластины со структурами - многослойное напыление на установках различных типов;
4) покрытия оптические - просветление трехслойное двухстороннее;
5) фильтры интерференционные - нанесение двух двенадцатислойных зеркал с промежуточным слоем 1\2.
Параграф 6. Оператор вакуумно-напылительных процессов, 7 разряд
напыление металлических и окисных покрытий с заданной оптической плотностью и дефектностью;
напыление тугоплавких металлов с образованием силицидов;
составление программ проведения процесса напыления с использованием электронно-вычислительной машины;
замер поверхностного сопротивления силицидов и пленок металла;
определение отражающей способности пленки и коэффициента запыления рельефа пленкой;
отработка режимов напыления пленки с получением указанных параметров (толщина, состав, коэффициенты запыления и отражения), настройка и калибровка по эталонам приборов для измерения заданных параметров;
сборка и разборка внутрикамерного устройства установок и их чистка;
отыскание течей вакуумных систем и принятие мер по их ликвидации;
оценка качества высокого вакуума.
устройство и принцип работы обслуживаемого оборудования;
принцип работы откачных средств и способы измерения вакуума;
наладку и настройку контрольно-измерительных приборов;
способы получения проводящих, резистивных, барьерных, диэлектрических слоев и диодов «Шоттки»;
влияние режимов напыления на электрофизические свойства пленок.
Параграф 7. Оператор диффузионных процессов, 2 разряд
ведение процессов диффузии примесей (бора, фосфора) в кремний и создание защитных покрытий химико-термическим методом под руководством рабочего высшей квалификации;
окисление пластин кремния в потоке газов и паров воды;
загрузка и выгрузка пластин кремния;
измерение температуры рабочей зоны установки и наблюдение за другими режимами с помощью контрольно-измерительных приборов и термопар;
изготовление шлифов на пластинах кремния и определение по ним глубины диффузии;
вжигание металлизированных контактов (алюминий, золото) в кремний;
взвешивание диффузанта и его загрузка.
наименование, назначение важнейших частей и принцип действия установок для проведения процессов окисления;
назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов, ротаметров, контактных термометров;
методы определения толщины окислов по интерференционным полосам в сравнении с таблицей;
основные свойства полупроводниковых материалов (германий, кремний) и материалов, применяемых для легирования (бор, фосфор и их соединения);
основы теории получения электронно-дырочного перехода (диодов и триодов);
принцип действия установок измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом.
1) пластины кремния, германия - термообработка перед фотолитографией;
2) пленки окисные - получение методом контролируемого низкотемпературного окисления моносилана кислородом в среде инертного газа;
3) подложки - насыщение бором.
Параграф 8. Оператор диффузионных процессов, 3 разряд
ведение процессов окисления, диффузии примесей в один из видов полупроводникового материала на налаженном оборудовании определенного типа;
измерение толщины окисла и дрейфовой области кремниевых пластин;
изготовление косых и сферических шлифов, выявление переходов, измерение глубины электронно-дырочного перехода поверхностного сопротивления и концентрации примесей;
контроль режима диффузионного процесса;
загрузка и выгрузка пластин с помощью автоматического загрузчика;
контроль качества пластин после диффузии и окисления;
комплектация (формирование) партий эпитаксиальных структур.
устройство и способы подналадки обслуживаемых оборудования и установок;
методы измерения температуры в рабочей зоне установки;
степени осушки газа;
свойства газов, применяемых материалов;
основные законы электротехники и вакуумной техники в пределах выполняемых работ;
влияние различных факторов на параметры диффузионных слоев;
устройство приборов для контроля процесса;
методы измерения поверхностного сопротивления;
методы контроля толщины дрейфовой области.
1) биффузия золота;
2) стекло боросиликатное - диффузия бора;
3) стекла растворимые - диффузия сурьмы;
4) структуры кремниевые - геттерирование с помощью пленки диоксида кремния с одновременной диффузией никеля.
Параграф 9. Оператор диффузионных процессов, 4 разряд
окисление и диффузия примесей в германий, кремний и арсенид галлия с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов;
отжиг ионно-легированных слоев;
ведение процесса дрейфа ионов лития в пластины кремния;
одновременное проведение двух процессов окисления или диффузии;
дозирование легирующих элементов;
подготовка газораспределительного пульта к работе;
сборка и наладка отдельных узлов газовой системы (определение точки росы и содержания кислорода в технологических газах);
наблюдение за температурой и другими режимами и регулирование их;
определение неисправностей в работе оборудования;
измерение электрических параметров электронно-дырочных переходов, резисторов и характеристик микросхем.
устройство установок с высокочастотным нагревом, установок дрейфа, водородной, вакуумной и силитовых печей;
устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов (термопар, гальванометров, осциллографов, вакуумметров и другое);
методы измерения температурного профиля диффузионной печи;
основные свойства полупроводниковых материалов (германий, арсенид галлия, кремний);
свойства газов (водород, азот, кислород);
основные свойства диффузантов;
режимы процесса;
способы и методы контроля;
элементарный расчет параметров диффузионных слоев;
основные свойства оксидных пленок, р-п, п-п переходов;
методы их получения и контроля.
1) диффузия мышьяка, сурьмы;
2) диффузия фосфора из треххлористого фосфора, оксихлорена и из легированных пленок;
3) диффузия бора из нитрида бора и трибромида бора;
4) диффузия бора и золота, фосфора и золота (одновременное проведение процесса);
5) кремний - окисление в парах хлороводорода;
6) пластины кремния - термическое окисление в печах типа «СДО 125/3-12»
Параграф 10. Оператор диффузионных процессов, 5 разряд
ведение сложных процессов диффузии и окисления в диффузионных печах различных типов (в том числе с программным управлением) с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов;
составление программ проведения процесса;
введение легирующих присадок в кремний, германий, арсенид галлия;
обслуживание печей непрерывного действия, водородной, вакуумной установок;
измерение электро-параметров больших интегральных схем, сверхбольших интегральных схем и транзисторных структур;
проведение элементарного расчета параметров диффузионных слоев;
анализ экспериментальных данных по результатам измерений параметров диффузионных слоев, окисных пленок;
контроль и корректировка режимов технологических процессов диффузии, окисления, отжига ионно-легированных слоев;
сборка, вакуумирование и отпайка кварцевых ампул с мышьяком,
урьмой, бором и их соединениями в качестве лигатуры;
сборка газовой системы и проверка ее герметичности;
определение неисправностей в работе оборудования и их устранение.
ектрические и газовые схемы обслуживаемого оборудования, правила его наладки на заданный режим;
правила настройки и регулирования приборов для контроля процесса;
очистительную систему для газов, поступающих в установку;
правила определения режимов работы;
влияние характеристик диффузионных слоев на параметры получаемых приборов.
1) диффузия цинка в парах мышьяка или фосфора в тройные соединения;
2) пластины кремния - диффузия бора, фосфора, мышьяка в печах с программным управлением типа «СДО-125/3-15»;
3) пластины кремния - окисление при повышенном давлении;
создание скрытых слоев;
легирование сурьмой и мышьяком в печах с программным управлением;
4) пластины кремния - создание подзатворного диэлектрика и контроль его параметров.
Параграф 11. Оператор диффузионных процессов, 6 разряд
ведение сложных процессов диффузии, окисления с применением твердых, жидких и газообразных диффузантов;
обслуживание печей и установок любого типа, в том числе и с программным управлением;
обработка экспериментальных данных, построение графиков, таблиц по статистическим данным;
проведение расчета концентрационного профиля, поверхностной концентрации, типа проводимости слоев;
самостоятельное задание режимов, самостоятельная работа на полярископе и лазерном элипсометре, определение плотности поверхностных состояний по вольт-емкостным характеристикам при изготовлении канальных больших интегральных схем;
расчет и экспериментальное определение профиля распределения примеси;
работы на автоматических диффузионных установках - налаживание, корректировка режимов в процессе работы и контроль.
конструкцию, способы и правила проверки на точность оборудования и устройств различные типов для проведения процесса диффузии;
теорию процессов диффузии и окисления;
влияние различных параметров на характеристики диффузионных слоев;
способы и методы определения годности переходов;
физико-химические свойства применяемых материалов;
расчеты, связанные с проведением процессов диффузии.
Параграф 12. Оператор диффузионных процессов, 7 разряд
ведение сложных высокотемпературных процессов диффузии из опытном оборудовании и оборудовании с микропроцессорным программным управлением с применением различных типов диффузантов;
ведение процесса окисления кремниевых пластин пирогенным способом;
расчет необходимых пропорций кислорода и водорода в их смеси;
дновременное проведение трех процессов окисления или диффузии;
выбор способа формирования диэлектрика в зависимости от назначения и требований к нему;
получение электронно-дырочных переходов и контроль их вольт-амперных характеристик на измерителе «Л2-56»;
сбор и обработка информации с помощью компьютера;
анализ причин возникновения брака на операциях высокотемпературных обработок и принятие мер по его устранению.
устройство и принцип работы обслуживаемого оборудования;
назначение и условия применения контрольно-измерительного оборудования (спектрофотометры «MPVSD», «Suzfsсan», «ЛЭФ-ЗМ»);
назначение окисных пленок и диффузионных слоев и требования к ним;
факторы, определяющие скорость роста окислов;
механизмы диффузии в полупроводниках;
виды брака из термодиффузионных операциях, причины его возникновения и способы устранения;
способы получения электронно-дырочных переходов и методы определения их годности.
1) изолирующий окисел - пирогенное окисление;
2) диффузия фосфора в поликремний - легирование затвора.
Параграф 13. Заварщик полупроводниковых приборов, 2 разряд
заварка стеклянных деталей на заварочной установке;
заварка металлических деталей со стеклом на налаженном заварочном станке (полуавтомате);
загрузка шпинделей полуавтомата стеклянными баллонами;
регулирование температуры в процессе заварки;
установка контактной пружины в центр кристаллов под микроскопом и заварка арматуры;
настройка иглы с кристаллом по осциллографу;
определение качества спая по внешнему виду.
принцип действия заварочных установок и заварочных станков (полуавтоматов);
применяемые способы заварки - спая стекла со стеклом, стекла с металлом (ковар, платинит) и отжига;
назначение и условия применения приспособлений для закрепления заготовок при заварке;
способы и правила настройки иглы с кристаллом;
назначение электронного осциллографа и основные понятия о его работе;
основные свойства обрабатываемых материалов.
Параграф 14. Заварщик полупроводниковых приборов, 3 разряд
заварка металлических деталей со стеклом на заварочном станке (полуавтомате) с подналадкой его в ходе ведения процесса;
регулирование пламени газовых горелок установкой соответствующей остроты и температуры пламени, необходимых для заварки баллонов различных диаметров;
создание чистого (без пузырьков и конусов) спая стекла с металлом и ровного (без наплывов) спая стекла со стеклом.
устройство и способы подналадки заварочных станков (полуавтоматов);
основные физические и химические свойства обрабатываемых материалов;
огневой режим при заварке;
устройство применяемых контрольно-измерительных инструментов и приборов.
Параграф 15. Заварщик полупроводниковых приборов, 4 разряд
заварка металлических деталей со стеклом на заварочных станках различных типов с подналадкой их в ходе ведения процесса;
изготовление сложных металло-стеклянных изоляторов на позиционных станках и специальных приспособлениях;
подбор и соблюдение режимов заварки, регулирование цикла заварки и подачи газа;
наблюдение за показаниями измерительных приборов.
назначение, устройство, принцип работы, правила наладки, пуска и остановки заварочных станков различных типов;
свойства газов (азот, водород);
различные технологические режимы получения спаев стекла с металлом;
устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов.
Параграф 16. Аппаратчик восстановления полупроводниковых материалов, 3-разраяд
ведение процессов восстановления полупроводниковых материалов (хлориды кремния, германия, моносилана и другое) в электрических печах с заданными электрофизическими, фотоэлектрическими и оптическими свойствами, геометрическими размерами, а также конденсации продуктов реакции из парогазовой смеси;
дозированное легирование в процессе восстановления;
наблюдение за режимами процессов и их регулирование;
регулирование температуры процесса согласно режимной карте, скорости подачи исходных компонентов и газа-восстановителя, силы тока и напряжения, давления и разрежения в системе, расхода газа и охлаждаемой воды;
наладка и обслуживание печей, вакуумной аппаратуры, установок тонкой очистки водорода, установок конденсации продуктов реакции, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
рием сырья и материалов, подача и загрузка сырья и полуфабрикатов;
подготовка лигатуры, графитовой и другой оснастки;
отбор проб;
продувка реактора нейтральным газом;
участие в ремонте обслуживаемого оборудования;
монтаж и демонтаж печей;
снятие реактора и переноска его к месту демонтажа;
проверка герметичности печей;
зарядка и наладка аппаратуры;
мойка реактора;
чистка печей, воздуховодов, конденсаторов от побочных продуктов реакции;
ведение записей показателей работы печи, хода технологическогопроцесса;
вскрытие печей после процесса и выгрузка готовой продукции;
постоянное поддержание чистоты на рабочем месте;
дегазация оборудования и помещений при загрязнении их токсичными веществами.
технологическую схему производства;
режимы и методы восстановления полупроводниковых материалов;
устройство основного и вспомогательного оборудования, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
физико-химические свойства сырья, готовой продукции и вспомогательных материалов;
технические условия и государственные стандарты на сырье, готовую продукцию и вспомогательные материалы;
основы легированная и правила расчета лигатуры;
режимные карты и рабочие инструкции;
основы электротехники, вакуумной техники, физики, химии, электроники, кристаллографии;
основы технологических процессов;
правила выявления и устранения неисправностей в работе обслуживаемого оборудования;
системы технологических и энергетических коммуникаций.
При ведении процесса восстановления полупроводниковых материалов под руководством аппаратчика более высокой квалификации - 3 разряд.
При ведении процесса восстановления полупроводниковых материалов с корректировкой процесса при подготовке и обработке оснастки - 4 разряд.
При ведении процесса восстановления полупроводниковых материалов с отработкой технологии по заданным свойствам, наладке технологии и технологического оборудования - 5 разряд.
Параграф 17. Шлифовщик-полировщик по прецизионной обработке
полупроводниковых материалов, 2 разряд
грубое шлифование пластин на станке или вручную абразивными порошками или шлифовальными кругами;
закрепление пластин на шлифовальном столике с помощью наклеечных веществ или на вакуумном столе и снятие их с последующей промывкой;
приготовление абразивной суспензии для шлифования из микропорошков.
принцип действия обслуживаемого оборудования;
способ подготовки притирного шлифовального диска;
приготовление клеящей мастики и способы ее отмывки;
марки применяемых абразивных материалов;
технологию отмачивания микропорошков.
пластины из ферритов - грубое шлифование на станке или вручную.
Параграф 18. Шлифовщик-полировщик по прецизионной обработке
полупроводниковых материалов, 3 разряд
шлифование пластин, изделий на станке или вручную абразивными порошками или шлифовальными кругами до заданных параметров шероховатости и толщины;
замер толщины шлифуемых пластин;
приготовление абразивной суспензии для шлифования из микропорошков;
наблюдение в процессе работы за исправностью оборудования;
настройка станка на заданный размер, выбор режимов обработки;
предупреждение возникновения брака;
установка и замена шлифовального круга;
правка шлифовальных кругов;
доводка плоскости шлифовальника станка.
устройство, принцип работы, правила эксплуатации и способы подналадки станков и приспособлений для шлифования;
способы наладки оборудования на заданный размер шлифовки;
методы и способы механического и ручного шлифования;
способ подготовки притирного шлифовального диска, изготовление клеящих мастик и способы их отмывки;
марки применяемых абразивных материалов и их основные свойства;
правила пользования измерительным инструментом (микрометры, индикаторные головки и другое);
маркировку шлифовальных кругов, способы правки шлифовального круга;
методику измерения;
требования к чистоте поверхности после шлифования;
механические свойства германия, кремния, арсенида галлия и другое.
1) лампы титанокерамические - притирка на станке абразивными порошками воротничков сетки;
2) пластины - шлифование с точностью ± 15 микрометров.
Параграф 19. Шлифовщик-полировщик по прецизионной обработкеполупроводниковых материалов, 4 разряд
шлифование пластин вручную тонкими абразивными порошками.
шлифование пластин алмазными кругами, тонкими микропорошками на шлифовальных станках;
полирование пластин с точностью ± 10 микрометров на полировальных станках;
приготовление шлифующей и полировальной суспензии из абразивных микропорошков и минеральных масел;
подготовка станков и оснастки для точного шлифования и полирования;
проверка неплоскостности и непараллельности шлифовальника;
контроль и регулирование режимов обработки;
правка алмазного инструмента;
замер торцевого биения шлифовальника;
определение качества обработки;
обнаружение и предупреждение брака.
устройство, принцип работы и правила эксплуатации применяемого оборудования;
обозначение допусков на чертежах;
основные свойства алмазных микропорошков;
свойства полупроводников, определение качества поверхности притирного шлифовального диска;
требования, предъявляемые к шероховатости обрабатываемых пластин;
требования, предъявляемые к геометрической форме обрабатываемых пластин;
методы измерения геометрической формы и шероховатости пластин после шлифования и полирования;
виды и причины брака.
1) пластины - шлифование абразивными микропорошками «М40», «М28»;
олирование микропорошками «М5»;
2) пластины кремния - чистое шлифование алмазными шлифовальными кругами с отклонением толщины ± 5 микрометров.
Параграф 20. Шлифовщик-полировщик по прецизионной обработке
полупроводниковых материалов, 5 разряд
шлифование (полирование) пластин пастами, алмазными кругами, тонкими микропорошками с точностью ± 5 микрометров;
шлифование (полирование) опытных образцов пластин;
полирование алмазными пастами и микропорошками;
химико-механическое полирование пластин окисью кремния, безабразивным составом и окисью циркония на мягком шлифовальнике (замшевом);
подготовка полировального материала, доводка оправки и проверка ее неплоскостности с помощью лекальной линейки; обезжиривание пластин органическими растворителями (бензином);
определение качества обработанной поверхности;
приготовление суспензии из различных порошков, алмазных паст, минеральных масел, органических кислот, бензина;
выбор рациональных режимов обработки;
одновременное обслуживание двух станков.
режим работы оборудования;
способы проверки на точность различных моделей оборудования;
правильную дозировку химических компонентов для химико-механического полирования;
основные физико-механические свойства полупроводниковых материалов;
правила пользования высокоточными контрольно-измерительными приборами;
способы подбора микропорошков для достижения заданных параметров шероховатости поверхности;
правила посадки пластин.
1) пластины (германий, кремний, арсенид галлия);
пластины галлий-гадолиниевого граната - полирование субмикронными алмазными порошками;
2) пластины - шлифование связанными алмазами на станке алмазной шлифовки («САШ-420», «СПШ-1», «МШ-259»).
Параграф 21. Шлифовщик-полировщик по прецизионной обработке
полупроводниковых материалов, 6 разряд
тонкое шлифование (полирование) пластин и особо точных деталей на станках различных типов;
полирование с применением синтетических полировальных материалов, полирование на оптических смолах;
полирование с применением оптического контакта;
обработка режимов шлифования (полирования);
доводка сепараторов на станках двухстороннего шлифования;
выявление причин и устранение неисправностей обслуживаемого оборудования.
конструкцию, способы и правила проверки на точность различных типов оборудования;
способы установки, крепления и выверки сложных деталей;
методы определения последовательности обработки;
оснастку и подготовку оборудования для полирования пластин на оптических смолах;
способы подготовки смолы к работе;
способы приготовления защитного лака для полирования с применением оптического контакта;
природу образования нарушенных слоев в шлифованных и полированных пластинах;
виды брака при тонкой обработке и методы их обнаружения и устранения.
Параграф 22. Аппаратчик по химической обработке полупроводниковых
материалов
ведение процесса химической обработки металла, технологической оснастки, кварцевых изделий, тары в кислотах, щелочах и смеси кислот.
подготовка к травлению и сушка металла и изделий;
перегонка кислот, подготовка растворов кислот, щелочей и солей требуемой концентрации;
подготовка, наладка и обслуживание аппаратуры для химической обработки металла, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
ведение технической документации;
постоянное поддержание чистоты на рабочем месте;
участие в ремонте обслуживаемого оборудования.
технологию химической обработки исходных материалов, полупродуктов, полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений;
виды и свойства кислот, щелочей, солей и других реактивов и материалов, применяемых для химической обработки, правила обращения с ними и хранения;
причины брака, меры предупреждения и устранения его;
физико-химические свойства сырья, готовой продукции, вспомогательных материалов;
технические условия и государственные стандарты на сырье, готовую продукцию, вспомогательные материалы;
правила работы с высокочистыми материалами;
технологическую схему производства;
основы физики, химии, химии чистых веществ в объеме программы средней школы;
технологические карты и рабочие инструкции.
При выполнении вспомогательных работ по химической обработке полупроводниковых материалов, материалов интерметаллических соединений, при химической обработке технологической оснастки и тары - 2 разряд.
При химической обработке полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений, приготовлений исходных растворов для химической обработки, перегонке кислот - 3 разряд.
При сложной химической обработке в двух и более травителях - 4 разряд.
Параграф 23. Приготовитель шихты полупроводниковых материалов
компоновка полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений по составу, типу проводимости, концентрации носителей зарядов, удельному сопротивлению исходных элементов и полупродуктов;
определение по графикам, таблицам или расчетным путем соотношения компонентов и количества добавляемой лигатуры, различных присадок в зависимости от марки продукции;
дробление исходных элементов, полупродуктов;
взвешивание загрузки компонентов, лигатуры, различных присадок;
сборка, заварка, вакуумирование, отпайка и подготовка к ведению технологических процессов реакционных аппаратов;
подготовка тары для загрузки пластин, легирующих добавок;
подготовка к работе обслуживаемого оборудования и приспособлений;
ведение технической документации;
содержание в чистоте рабочего места.
методы и приемы расчета навесок компонентов многокомпонентных полупроводниковых материалов;
основы легирования и влияние легирующих добавок на качество готовой продукции;
правила работы на аналитических и других весах;
правила расчета состава и средней концентрации носителей заряда полупроводниковых материалов;
причины брака, меры предупреждения и устранения его;
физико-химические свойства сырья, готовой продукции, вспомогательных материалов;
технические условия и государственные стандарты на сырье, готовую продукцию и вспомогательные материалы;
технологическую схему производства;
устройство обслуживаемого оборудования;
правила работы с высокочистыми материалами;
основы электротехники, физики, химии, вакуумной техники, физики полупроводников, химии чистых веществ, кристаллографии.
При выполнении вспомогательных работ по компоновке и легированию полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений, обработки технологической оснастки и тары - 2 разряд.
При компоновке и легировании полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений под руководством аппаратчика более высокой квалификации, при компоновке и легировании элементарных полупроводников- 3разряд.
При компоновке полупроводниковых материалов и материалов интерметаллических соединений, при легировании полупроводниковых материалов – 4 разряд.
При расчете и одновременном легировании двумя и более легирующими добавками, примесями, при легировании материалов интерметаллических соединений, при проведении опытных работ по освоению легирования новыми примесями – 5 разрязд.
Параграф 24. Аппаратчик по производству и химической очистке полупроводниковых материалов
ведение процессов получения хлоридов и других соединений и элементов, их химической и сорбционной очистки;
ведение процесса очистки полупроводниковых материалов методом электрорафинирования с предварительной гидрохимической обработкой;
ведение процесса получения гидроокиси и выделения полупроводниковых элементов методом электролиза из растворов;
ведение процесса нейтрализации сточных и промывных вод и обезвреживания отходящих газов до санитарных норм, разложения силанов, отходов, концентратов и других материалов, содержащих полупроводниковые элементы и конденсации хлоридов;
отбор проб;
ведение процесса гидролиза хлоридов и осаждения солей, содержащих полупроводниковые элементы;
получение хлористого водорода и его соединений;
приём сырья и материалов;
подача и загрузка сырья и полуфабрикатов и их дозирование, фильтрация, химическая и гидрохимическая обработка сырья;
предупреждение и устранение причин отклонений от норм технологического режима;
подготовка, пуск, наладка и обслуживание аппаратов, механизмов, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
снятие, дегазация, установка контрольно-измерительных приборов;
ведение технической документации, учёт готовой продукции;
выявление и устранение неисправностей в работе оборудования и коммуникаций;
постоянное поддержание чистоты на рабочем месте;
участие в ремонте обслуживаемого оборудования.
устройство основного и вспомогательного оборудования, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
способы устранения неисправностей в работе оборудования, предупреждения брака и производственных потерь;
основы физики, химии, электротехники и электроники;
физико-химические и технологические свойства сырья, полуфабрикатов, готовой продукции и вспомогательных материалов;
технические условия и государственные стандарты на сырьё, готовую продукцию и вспомогательные материалы;
схему коммуникаций;
технологическую схему производства.
При ведении процессов нейтрализации, химической очистки, фильтрации, осаждения, гидролиза под руководством аппаратчика более высокой квалификации – 3 разряд.
При ведении процессов нейтрализации, химической очистки, фильтрации, осаждения, гидролиза, ведении процессов ректификации хлоридов и силанов, очистки полупроводниковых элементов методом электрорафинирования под руководством аппаратчика более высокой квалификации – 4 разряд.
При ведении процесса ректификации хлоридов и силанов,при очистке полупроводниковых элементов методом электрорафинирования, при ведении процессов получения силанов, гидроокиси и других элементов и соединений путём хлорирования, непрерывного гидролиза и электролиза, наладки технологии и технологического оборудования под руководством аппаратчика более высокой квалификации. – 5 разряд.
При ведении процессов получения силанов, гидроокиси и других элементов и соединений путём хлорирования, непрерывного гидролиза и электролиза, наладки технологии и технологического оборудования. – 6 разряд.
Параграф 25. Аппаратчик по получению высокочистых материалов для
полупроводникового производства
ведение процессов очистки водорода от примесей и его осушки, получения заготовок из синтетической двуокиси кремния методом высокотемпературного гидролиза, термообработки заготовок (остекловывания), раздувки или обжига при изготовлении изделий и аппаратов требуемых геометрических размеров, доводка их вручную;
проверка герметичности коммуникаций;
продувка системы азотом;
подача очищенного водорода к печам восстановления;
обслуживание пульта управления очистки и вакуумных насосов;
контроль за температурой на адсорберах блока очистки водорода;
прием сырья и материалов, подача и загрузка сырья, полуфабрикатов, реактивов и их дозирование;
регулирование температуры процесса, вакуума, подачи воды, газа;
приготовление растворов кислот и щелочей заданной концентрации;
предупреждение и устранение причин отклонений от норм технологического режима;
подготовка, пуск, наладка и обслуживание печей, аппаратов, механизмов, электроустановок, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики и сигнализации;
ведение записи показателей работы обслуживаемого оборудования, хода технологического процесса;
постоянное поддержание технологической чистоты оборудования и рабочего места;
выявление и устранение неисправностей в работе оборудования и коммуникаций;
участие в ремонте механической части оборудования.
устройство основного и вспомогательного оборудования, контрольно-измерительных приборов, средств автоматики, сигнализации и сосудов, работающих под давлением;
физико-химические и технологические свойства применяемых сырья, полуфабрикатов, реактивов, газов, готовой продукции и вспомогательных материалов;
технические условия и государственные стандарты на сырье, готовую продукцию и вспомогательные материалы;
нормы расхода сырья на единицу готовой продукции;
физико-химические основы технологического процесса;
технологическую схему производства;
способы устранения неисправностей в работе;
предупреждения брака и производственных потерь;
основы физики, химии, электротехники и электроники.
При выполнении работ по термической обработке заготовок (остекловыванию) и выполнении вспомогательных работ по очистке и осушке водорода - 3 разряд.
При ведении процесса высокотемпературного гидролиза, раздувки и обжига при изготовлении изделий из синтетической двуокиси кремния,чистки и осушки водорода под руководством аппаратчика более высокой квалификации - 4 разряд.
При ведении процесса высокотемпературного гидролиза, раздувки или обжига при изготовлении изделий из синтетической двуокиси кремния, очистки и осушки водорода, наладки технологии и технологического оборудования - 5 разряд.
Параграф 26. Оптик элементов квантовых приборов, 2 разряд
полное изготовление деталей различной конфигурации (линзы, призмы, пластины, клинья) размером до 100 миллиметров с допусками на качество поверхности по общим ошибкам свыше 5 колец, местным - свыше 1 кольца, на линейные размеры - свыше - 0,2 миллиметра, на клиновидность для пластин, на углы для клиньев и призм, на параллельность граней и пирамидальность призм - более 6 миллиметров, на косину для линз - 0,3 миллиметра;
изготовление смоляных, суконных и фетровых полировальников.
устройство шлифовально-полировальных и центрировочных станков и правила управления ими;
маркировку и сорта оптических стекол;
порошки, применяемые при шлифовании и полировании;
маркировку вспомогательных материалов (воск, смола, гипс, лак, растворители) и их применение;
виды вспомогательных операций (блокировка, разблокировка, гипсовка, разгипсовка) и способы их выполнения;
режимы работы в зависимости от марки стекла и марки шлифующих и полирующих порошков;
процесс изготовления полировальников и требования, предъявляемые к ним;
определение степени засаливания полировальников и их очистку;
правила обращения с деталями.
1) линзы двояковыпуклые диаметром 39 миллиметров - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 10 колец, местным - 2 кольца, линейным размерам ± 0.2 миллиметра;
2) пластины размером 82 х 82 миллиметров - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 5 колец и клиновидность - 6 минут.
Параграф 27. Оптик элементов квантовых приборов, 3 разряд
полное изготовление деталей различной конфигурации (линзы, пластины и клинья с фокусностью до 10 киллометров, призмы и другое) размером до 100 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 2-5 колец, местным - 0,5-1 кольцо и размером 100-200 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам более 5 колец с допусками на линейные размеры - 0,1-0,2 миллиметра, на клиновидность для пластин, на углы для клиньев и призм, на параллельность граней и пирамидальность призмы - 3-6 минут, на угол крыши - свыше 10 секунд, косину для линз - 0,2 миллиметра, децентрировку линз - 0,05-0,2 миллиметра, шлифование и полирование пластин по 4-7 квалитетам с ориентацией оптической оси;
изготовление пластин на вращающейся планшайбе с соблюдением допусков по толщине ±0,01 миллиметра и по контуру ± 0,015 - 0,01 миллиметра;
шлифование фасок толщиной до 1 миллиметра;
полирование фасок пластин различных сечений и конфигураций;
подшлифовка пластин в одной плоскости с точностью до 1 «Ү»;
контроль размеров пластин с помощью оптического оборудования;
установление правильного режима шлифования и полирования;
настройка и регулировка оборудования, применяемого в процессе работы.
правила настройки шлифовально-полировальных станков и центрировочных станков простых конструкций;
свойства оптических стекол и их дефекты, шлифующую и полирующую способность шлифовальных и полировальных порошков;
свойства вспомогательных материалов (воск, смола, гипс, лак, растворители), область их применения;
вспомогательные операции (блокировка, разблокировка, разгипсовка, посадка на оптический контакт, промывка, чистка) и способы их выполнения;
правила определения дефектов по классам чистоты;
допуски и их обозначение, приемы расшлифовки шлифовальников;
основы кристаллографии в объеме выполняемой работы;
механические свойства монокристаллов.
1) клинья диаметром «Ш4» с углом 45 градусов - полное изготовление с подгонкой толщины в размер 2,3±0,2 с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 3 кольца, местным - 0,5 кольца и на углы - до 10 минут;
2) линзы диаметром 50 миллиметров - полное изготовление с подгонкой толщины по центру в размер 5±0,3 миллиметра с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 3 кольца, местным - 0,3 кольца, на косину и децентрировку - 0,1 миллиметра;
3) ориентированные образцы монокристаллов с допуском на углы ± 50 минут - доводка;
4) отражатели размером «45 х 67» миллиметров - полное изготовление с посадкой на оптический контакт, с подгонкой толщины в размер 7±0,3 миллиметра с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 1-2 кольца, местным - 0,5 кольца, на клиновидность- 1 минута;
5) пластины из синтетических монокристаллов с допусками по толщине ± 0,01 миллиметра и по контуру ± 0,01 миллиметра - доводка;
6) призмы многогранные сложной конфигурации размерами «15Сх21,5С5х14С5» - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 3 кольца, местным - 0,5 кольца и на углы - до 10 ± 5 минут.
Параграф 28. Оптик элементов квантовых приборов, 4 разряд
полное изготовление деталей из стекла и кристаллов различной конфигурации (линзы, пластины и клинья с фокусностью 10-20 киллометров, многогранные призмы) размером до 100 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 0,5-1 кольцо, местным - менее 0,5 кольца и размером 100-300 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 2-5 колец с допусками на линейные размеры менее 0,2 миллиметра, на клиновидность для пластин, на углы для призм и клиньев, на параллельность граней и пирамидальность призм - менее 3 минут, на косину для линз - 0,1-0,2 миллиметра, децентрировку 0,05 миллиметра, на угол крыши - 5-10 секунд, разрешающую силу - 12-22 секунд;
изготовление эталонных, пробных стекол диаметром до 80 миллиметров;
шлифование и полирование сложных пластин по 4-7 квалитетам с ориентацией оптической оси с точностью до 1 «Ү»;
изготовление пластин на вращающейся планшайбе с соблюдением допусков по толщине ± 0,002 миллиметра и по контуру ± 0,005 миллиметра;
шлифование фасок толщиной до 0,1 миллиметра;
полирование фасок пластин различных сечений и конфигураций;
одшлифовка пластин в одной плоскости с точностью до 40 минут;
контроль размеров пластин с помощью оптического оборудования;
настройка шлифовально-полировальных и центрировочных станков различных систем;
настройка приборов для проверки угловых и линейных размеров.
устройство шлифовально-полировальных и центрировочных станков разных систем, управление ими и правила настройки их;
правила настройки приборов для проверки линейных и угловых размеров;
маркировку, характер кристаллов и их строение;
систему допусков и посадок;
правила проверки разрешающей силы на приборе;
способы повышения качества обрабатываемых изделий.
1) зеркала металлические (сплав «3240» государственный стандарт «10994-64») - шлифовка, полировка с одной стороны до диаметра 110 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 2...5 колец, местным ошибкам - 0,5 кольца;
2) клинья размером «77 х 50» миллиметров - полное изготовление с подгонкой толщины в размер 8 ± 0,3 миллиметра с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 1 кольцо, местным - 0,2 кольца, на углы - 15 секунд;
3) линзы плосковыпуклые диаметром 73 миллиметров - полное изготовление с подгонкой толщины по центру в размер 5 ± 0,3 миллиметра с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 1 кольцо, местным - 0,2 кольца, на косину - 0,01 миллиметра;
4) ориентированные образцы монокристаллов с допуском на углы ±30 минут - доводка;
5) пластины из синтетических монокристаллов с допусками по толщине ± 0,002 миллиметра и по контуру ± 0,005 миллиметра, с точностью ориентации оптической оси ± 20 минут - доводка;
6) пластины для квантовых приборов с допуском на клиновидность от 30 секунд до 3 секунд - доводка;
7) призмы размерами «22,5 х 15,3 ± 0,3 х 22,5» миллиметров - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,5-1 кольцо, местным 0,2-0,5 кольца, на разность углов - 2 минут, на пирамидальность - 3 минуты, на углы ±3 секунды;
8) призмы крышеобразные размерами «25 х 18С4 х 11,8» миллиметров - полное изготовление с допусками на линейные размеры ± 0,1 миллиметра, на качество поверхности по общим ошибкам - 1-3 кольца, местным 0,2-1 кольцо, на углы ± 5 секунд, на угол крыши ± 30 секунд, на смещение сферы не более 0,002 миллиметра.
Параграф 29. Оптик элементов квантовых приборов, 5 разряд
полное изготовление деталей из стекла различной конфигурации (линзы, пластины и клинья с фокусностью 20-40 киллометров, пяти-шестигранные призмы и другое) размером до 100 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 0,5 кольца и менее, размером 100-300 миллиметров - по 1-5 классам чистоты с качеством поверхности по общим ошибкам менее 2 колец, размером свыше 300 миллиметров - по 1-6 классам чистоты с качеством поверхности по общим ошибкам менее 5 колец с допусками на линейные размеры - 0,1 миллиметра и менее, на клиновидность для пластин, на углы для клиньев и призм, на параллельность граней и пирамидальность призм - 1 минута и менее, на децентрировку и косину для линз - менее 0,05 миллиметра, на угол крыши - 2-5 секунды и разрешающую силу 6-12 секунд;
изготовление эталонных, пробных стекол диаметром 80-130 миллиметров;
изготовление эталонных асферических линз с общим отклонением на радиус-вектор ±0,003 миллиметра и местным отклонением ± 0,001 миллиметра;
шлифование и полирование пластин особой сложности по 4-5 квалитетам с ориентацией оптической оси до 20 секунд;
изготовление опытных образцов пластин с допусками на клиновидность и параллельность 0,001 миллиметра с подшлифовкой в двух плоскостях с точностью до 20 минут;
изготовление пластин различной конфигурации, сложности и размеров;
обслуживание оборудования;
контрольные измерения пластин с помощью сложных оптико-механических приборов;
полная наладка оптико-механического оборудования, применяемого при шлифовании и контрольных измерениях.
технологический процесс изготовления пробных стекол и шлифования пластин из синтетических монокристаллов любой толщины;
способы изготовления пластин и обработки стекла любой конфигурации;
правила эксплуатации оптико-механического оборудования, применяемого при контрольных измерениях;
способы и методы повышения качества обрабатываемых пластин;
выбор технологической последовательности обработки деталей по выполняемым операциям.
1) линзы эксцентрические диаметром 136 миллиметров - полной изготовление со смещением центра и подгонкой толщины по центру в размер 16 миллиметров с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,5-0,1 кольца, местным - 0,1 кольца, на косину - 0,003 миллиметра;
2) ориентированные образцы монокристаллов - доводка с допуском на углы ± 15 минут;
3) пластины из синтетических монокристаллов различной конфигурации - доводка по 4-5 квалитетам с точностью ориентации оптической оси ± 10 минут;
4) пластины для квантовых приборов с допуском на клиновидность до 10 секунд и менее - доводка;
5) пластины плоскопараллельные размерами 30 х 40 ± 0,01 миллиметра - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 0,3 кольца, местным - О колец, на клиновидность - 5 секунд;
6) пластины диаметром 80 миллиметров с фокусным расстоянием 10 киллометров - полное изготовление с подгонкой толщины в размере 8 ± 0,2 миллиметра с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,5 кольца, местным - 0,1 кольца, на клиновидность ± 10 секунд;
7) призмы крышеобразные размерами «63 х 35 ± 0,3 х 35 ± 0,3» миллиметров - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,2-0,3 кольца, местным 0-0,05 кольца, на пирамидальность - 5 минут, на разрешающую силу - 8 секунд, с подгонкой угла крыши ± 4 секунды;
8) призмы размерами «40В7 х 82, 4 х 44» миллиметров сложной конфигурации, имеющие более трех граней - полное изготовление с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,5-1 кольцо, местным - 0,2-0,5 кольца, на углы ± 1 минута, непараллельность граней до 10 минут и разрешающую силу - 4 секунды;
9) призмы - изготовление призм (18±0,2) х (14±0,2) х (6,6±0,1) угол 10 о 32' 40" ± 5"; центровка сферической поверхности не более 1', с качеством поверхности по общим ошибкам 0,5 колец, местным - 0,3, с пирамидальность в 15”.
Параграф 30. Оптик элементов квантовых приборов, 6 разряд
полное изготовление деталей различной конфигурации (линзы со смещенными центрами, эллиптические зеркала, фигурные пластины и двусторонние клинья с фокусностью более 40 киллометров, призмы, имеющие не менее 8 граней): размером 100-300 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам менее 0,5 кольца и размером свыше 300 миллиметров с качеством поверхности по общим ошибкам 2 кольца с допусками на линейные размеры 0,005 миллиметра и менее, на клиновидность для пластин, углы для призм и клиньев, параллельность граней и пирамидальность призм - 30 секунд и менее, на косину, децентровку линз - менее 0,06 миллиметра, на угол крыши и разрешающую силу - менее 2 секунд;
изготовление асферических эталонных линз с общим отклонением радиус-векторов ± 0,002 миллиметра и местным отклонением ± 0,0005миллиметра;
изготовление призм из исландского шпата;
изготовление эталонных пробных стекол диаметром более 100 миллиметров;
полное изготовление пластин особой сложности из синтетических монокристаллов по 4-5 квалитетам с ориентацией оптической оси до 10 минут;
ориентация монокристаллов оптическим, радиоспектрометрическим и рентгеновским методами;
контрольные измерения изделий из синтетических монокристаллов с применением сложных оптических приборов;
обслуживание, наладка и выявление неисправностей оборудования, применяемого при шлифовании и контрольных измерениях.
состав и свойства синтетических монокристаллов;
способы определения твердости кристаллов;
способы ориентации кристаллов;
процесс изготовления изделий любой формы из синтетических кристаллов с применением приспособлений, а также сложных контрольно-измерительных инструментов и приборов;
правила эксплуатации оборудования и приспособлений, применяемых при шлифовании и контрольных измерениях, и методы выявления их неисправностей.
1) интерферометры - сборка и настройка с клиновидностью базового зазора не менее 2", с посадкой оптических деталей контактным методом;
2) пластины диаметром 220 миллиметров - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,5 кольца, местным - 0,02 кольца под теневую установку;
3) призмы сложной конфигурации - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам 0,3 кольца, местным - 0,5 кольца, на углы ±3 секунды, на пирамидальность - 10 секунд;
4) призмы размером (23,5±0,2)х(17,7±0,2) миллиметра - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 0,3 кольца, местным - 0,1 кольца, на разность углов - О секунд, на пирамидальность - 3 секунды и разрешающую силу - 5 секунд;
5) призмы многогранные (31 грань) с шириной грани 10 миллиметров - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 0,5 кольца, местным - 0,2 кольца, на углы ± 30 секунд, на разрешающую силу - 13 секунд;
6) стекла астрономические выпуклые даметром 450 миллиметров с радиусом эллипса 232,25 миллиметров - полная обработка с допусками на линейные размеры ± 0,2 миллиметра и кругом рассеивания в точках не более 0,2 миллиметра.
Параграф 31. Оптик элементов квантовых приборов, 7 разряд
полное изготовление деталей различных конфигураций (линзы с цилиндрическими поверхностями, асферические зеркала, призмы полного внутреннего отражения, шаровая микрооптика диаметром от 0,5 до 1,5 миллиметра, пластины и двухсторонние клинья с фокусностью свыше 40 киллометров) с качеством поверхности по общим ошибкам менее 0,25 кольца, с допусками на линейные размеры - 0,001 миллиметра и менее, на клиновидность для пластин, углы для призм и клиньев менее 2 секунд, отклонение диаметра шаровой микрооптики менее 0,001 миллиметра;
изготовление составных оптических изделий методом глубокого оптического контакта;
изготовление накладных контрольно-измерительных средств в соответствии с государственным стандартом по 1 группе сопряжения;
полное изготовление деталей из кристаллов каменной соли и непрочных химико-механических оптических стекол;
полное изготовление пластин особой сложности из кристаллических материалов с ориентацией оптической оси до 1 минуты;
ориентация кристаллов оптическим, рентгенометрическим и рентгеновским методами;
контрольные измерения изделий с применением сложных оптических приборов с использованием лазерного излучения;
расчет конструктивных параметров технологической оснастки, используемой при изготовлении высокоточных изделий;
экспериментальные работы по полировке и доводке оптических деталей с подбором абразивных порошков и полировочных паст;
обслуживание, наладка и выявление неисправностей оборудования, применяемого при изготовлении изделий и контрольных измерениях.
технологический процесс изготовления сферических, асферических, конических и других форм оптических деталей;
технологические процессы изготовления высокоточных изделий из стекла и кристаллов с применением лазерных контрольно-измерительных средств;
свойства и способы изготовления оптических деталей из кристаллов различной твердости и химически непрочных стекол;
виды деформаций в кристаллах и стекле;
расчет конструктивных параметров технологической оснастки, необходимой для изготовления изделий квантовой электроники;
правила эксплуатации оборудования и приспособлений, применяемых при изготовлении и контроле высокоточных изделий, методы выявления их неисправностей.
1) триппель - призмы диаметром от 5 до 100 миллиметров - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - 0,25 кольца, местным - 0,1 кольца, на углы ± 2 секунды, на разрешающую силу - 2 секунды;
2) линзы шаровые из кристаллических материалов диаметром до 0,5 миллиметра - полная обработка с допуском по диаметру, не превышающим 0,001 миллиметра;
3) призмы сложной конфигурации, лазерные элементы размером менее 3 миллиметра - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам -0,25 кольца, местным - 0,1 кольца, на углы ± 2 секунды, на пирамидальность менее 5 секунд;+
4) призмы полного внутреннего отражения - полная обработка с требованиями к оптической чистоте рабочих поверхностей, превышающими требования государственного стандарта по «РО-10»;
5) стекла пробные с цилиндрическими поверхностями - полная обработка с допусками на качество поверхности по общим ошибкам - менее 0,5 кольца, местным - 0,2 кольца.
Параграф 32. Оператор микросварки, 4 разряд
ведение процесса разварки внутренних межсоединений на установках с ручным совмещением инструмента под микроскопом;
установка и закрепление на рабочем столике арматуры, полупроводниковых приборов, кассет с загруженными приборами для разварки;
термокомпрессирование выводов к триодам, диодам, твердым схемам с контактными площадками на установках термокомпрессии;
разводка и сварка под микроскопом выводов триодои диодных блоков сложных микросхем;
промывка, зачистка, прочистка сварочного инструмента;
заправка проволоки в сварочный инструмент;
замер диаметра «Шарика», высоты петли с помощью оптических приборов.
устройство, принцип дейстия и правила работы на установках микросварки и термокомпрессии;
основные сведения по сварке, виды и назначение свариваемых соединений;
технические требования, предъявляемые к узлам и деталям, подлежащим сварке;
основы электро- и радиотехники.
1) «ГИМ» сверхвысокой частоты - сварка соединений между контактными площадками на платах, сварка экранов;
2) индикаторы цифро-знаковые (твердые схемы) - сборка методом термокомпрессии с большим числом выводов на установках типа «ЭМ-439», «Контакт-ЗА»;
3) микросборки тонкопленочные - сварка соединений между выводами навесных элементов и контактными площадками плат;
сварка соединений между платой и корпусом;
4) приборы полупроводниковые - сварка соединений между контактными площадками кристалла и траверсами рамки выводной на автоматах монтажа проволочных выводов.
Параграф 33. Оператор микросварки, 5 разряд
ведение процесса разварки внутрених межсоединений на установках микросварки с ручным совмещением инструмента под микроскопом, а также из полуавтоматических, автоматических установках с программным управлением;
разводка и сварка в труднодоступных местах выводов триодов и диодных блоков в сложных и опытных микросхемах;
прочистка сварочного инструмента;
корректировка технологических режимов и программ;
проверка качества сварного соединения;
оценка качества разварки.
устройство и правила работы на установках микросварки;
методы получения контактов и их особенности;
правила подборки режимов сварки для различных изделий;
виды возникающего из операции брака и способы его предупреждения;
требования, предъявляемые к применяемым материалам.
1) «ГИМ сверхвысокой частоты» - приварка золотой проволоки к контактным площадкам плат на установке «ЭМ-429М»;
2) приборы полупроводниковые, микросхемы, диодные матрицы - приварка выводов к контактным площадкам кристалла и корпуса;
3) транзисторы, транзисторные матрицы - присоединение внутренних выводов.
Параграф 34. Оператор микросварки, 6 разряд
ведение процесса микросварки на установках с программным управлением;
обслуживание 2-х или более установок микросварки;
разварка внутренних межсоединений микросхем высокой степени интеграции на установках микросварки с ручным совмещением инструмента под микроскопом;
юстировка электронно-оптической системы;
отработка режимов сварки новых типов изделий, программирование координат топологии развариваемой схемы на установках с программным управлением.
принцип работы установки микросварки;
способы проверки работы установки на типовых промышленных приборах;
юстировку электронной схемы;
особенности работы установок с программным управлением;
назначение и правила пользования контрольно-измерительными приборами;
физико-химические свойства применяемых материалов.
1) большие интегральные схемы, сверхбольшие интегральные схемы - разварка межсоединений.
Параграф 35. Монтажник микромодулей, 2 разряд
сборка микромодулей и микроэлементов в гребенку для пайки, натягивание выводов;
пайка этажерок микромодулей с помощью паяльника;
обрезка выводов;
проверка внешнего вида этажерок микромодулей под микроскопом и габаритов с помощью штангенциркуля и скобы;
подготовка и нагревание насадок;
замена резиновых прокладок.
правила работы с электрическим паяльником, приспособлениями и измерительным инструментом;
способы флюсования и пайки микромодулей;
правила обращения с микроэлементами и незалитыми микромодулями;
способы обработки насадок смазкой;
температуру и время сушки;
виды и причины возможного брака.
Параграф 36. Монтажник микромодулей, 3 разряд
сборка в гребенку микроэлементов и пайка микромодулей с помощью электропаяльника и приспособлений;
настройка универсальной гребенки в соответствии с чертежами и картой раскладки с проверкой правильности настройки посредством часового проектора и другого инструмента;
подготовка микроэлементов к пайке на автоматах и полуавтоматах;
выбор температурного режима;
обслуживание установки для пайки микромодулей в газовой среде (аргоне);
установка микромодулей в специальном приспособлении с правкой выводных концов;
установка собранных узлов в приспособление с пайкой выводных концов по чертежу;
установка колодки на собранный узел и разведение выводных концов по схеме;
изготовление простых приспособлений и шаблонов;
рихтование и правка выводов микромодулей и устранение дефектов, обнаруженных при сборке пресс-форм;
настройка оборудования на заданный режим;
подрезка ключевых выводов, просечка проводников у спаянных микромодулей;
подготовка и оцифровка липкой лентой, укладка в тару и герметизация в полиэтиленовую упаковку;
подготовка и надевание насадок на микромодули специального назначения.
оформление сопроводительной документации.
устройство и принцип работы микромодулей;
способы и правила установки деталей и узлов в приспособление или пресс-форму;
назначение, типы и условия применения микромодулей;
технологический процесс герметизации микромодулей;
основы радио- и электротехники;
устройство, правила обслуживания, регулирование и налаживание установки для пайки в газовой среде;
порядок настройки гребенки полуавтомата;
подбор режимов на установках для разделки пазов;
правила ориентации микроэлемента относительно ключа;
методы настройки гребенки в соответствии с чертежом и картой раскладки;
допуски на размер монтируемых микромодулей и длину выводов;
методы подрезки и разрезки выводов;
порядок определения места для просечки;
методы маркировки микромодулей липкой лентой;
виды, размеры, назначение применяемых прокладок и насадок;
причины возникновения брака и меры по его предупреждению;
устройство и принцип работы применяемых контрольно-измерительных инструментов и приборов.
1) микромодули – сборка в гребенку и пайка эл.;
паяльником;
2) микроэлементы - разделка пазов при подготовке их к пайке на автоматах;
3) микромодули - разрезка (просечка) соединительных проводников с помощью приспособлений для просечки;
4) микромодули - надевание насадок на выводы.
Параграф 37. Монтажник микромодулей, 4 разряд
110.Характеристика работ:
подготовка и настройка по заданной схеме автомата системы передачи извещения к работе;
сборка и пайка микромодулей и микромодулей специального назначения на электрических приспособлениях и на автоматах спектральной плотной мощности;
сборка микроэлементов в магазины;
выбор температурного режима и времени выдержки;
определение качества пайки, обрезка выводов и подрезка ключевых выводов на приспособлениях.
правила обращения с микроэлементами и незалитыми микромодулями;
требования, предъявляемые к производству микромодулей специального назначения;
устройство, наладку, регулирование и обслуживание автомата спектральной плотной мощности
правила подбора оптимальной температуры для пайки и времени выдержки;
устройство и регулирование установки для разделки пазов;
порядок сборки микроэлементов в барабан;
порядок обслуживания автоматов, работающих в газовой среде.
1) микромодули специального назначения - пайка различных схем с учетом предъявляемых к ним требований.
Параграф 38. Аппаратчик по выращиванию монокристаллов и лент,
3 разряд
выращивание монокристаллов без жестких электрофизических параметров;
ведение процессов синтеза и выращивания многокомпонентных полупроводниковых материалов, очистки исходных элементов, применяемых для синтеза, путем зонной плавки, направленной кристаллизации Чохральского, термообработки, высокотемпературной ректификации и дистилляции под руководством аппаратчика более высокой квалификации;
приготовление лигатур методом сплавления, дозированный разлив и расфасовка в герметичные контейнеры;
загрузка полученного продукта в контейнеры и их герметизация;
обслуживание вакуумных установок с высокочастотным нагревом, их подготовка, пуск и остановка, загрузка и разгрузка;
наблюдение за режимами процесса и регулирование их;
контроль за работой приточно-вытяжной вентиляции, сигнализаторами горючих и токсичных газов, величиной давления газов в газопроводах;
своевременное определение неисправностей в работе установок и принятие мер к их устранению;
запись режимов процесса по показаниям приборов в журнале;
поддержание чистоты на рабочем месте;
дегазация оборудования и помещений при заражении их токсичными веществами.
принцип работы обслуживаемого основного и вспомогательного оборудования;
назначение и устройство контрольно-измерительных приборов, средств сигнализации и автоматики;
физико-химические свойства сырья, готовой продукции, вспомогательных материалов, реактивов, газов;
магнитные и технологические свойства выращиваемых сплавов;
основные законы электротехники в пределах выполняемой работы.
Параграф 39. Аппаратчик по выращиванию монокристаллов и лент,
4 разряд
ведение технологического процесса выращивания монокристаллов органических и неорганических материалов с соблюдением требований по структуре и геометрическим размерам;
обслуживание вакуумных установок с индукционным нагревом, с нагревателем электросопротивления, а также генераторов высокой частоты;
отжиг исходных материалов и выращенных монокристаллов для получения необходимых параметров;
подготовка сырья и аппаратуры для роста кристаллов;
регулирование температуры плавления и кристаллизации, диаметра получаемого слитка, напряжения, вакуума, расхода газа и охлаждаемой воды по показаниям контрольно-измерительных приборов и визуально;
ведение технической документации;
участие в ремонте обслуживаемого оборудования;
проверка герметичности оборудования.
устройство, способы наладки и проверки обслуживаемого основного и вспомогательного оборудования;
сущность технологического процесса роста монокристаллов и правила регулирования его;
назначение контрольно-измерительных приборов, их устройство и условия применения;
государственные стандарты и технические условия на готовую продукцию;
способы выявления и устранения неисправностей в работе оборудования, предупреждения брака и производственных потерь;
нормы расхода сырья на единицу готовой продукции;
основы теорий в пределах выполняемой работы.
Параграф 40. Аппаратчик по выращиванию монокристаллов и лент,
5 разряд
ведение процесса выращивания монокристаллов различных материалов с повышенными требованиями по структуре, геометрическим размерам, электрофизическим, оптическим, фотоэлектрическим параметрам;
подборка и настройка температурных режимов установок;
управление печами периодического и непрерывного действия;
обслуживание установок с автоматической регулировкой температуры и технологического режима выращивания монокристаллов в контролируемой среде.
устройство различных типов и конструкций основного и вспомогательного оборудования, применяемого для получения монокристаллов;
методы составления и правила использования программ выращивания монокристаллов;
виды термопар и область их применения;
основы физики, химии, электро- и вакуумной техники, технологию получения чистых веществ.
Параграф 41. Оператор плазмохимических процессов, 4 разряд
ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования;
ионно-плазменное нанесение пленок оксида железа;
загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластин, жидкокристаллических индикаторов;
определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению;
корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям;
регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры;
контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа;
определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия;
кинематику, электрические и вакуумные схемы;
правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов;
назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин;
способы и методы контроля степени вакуума;
основные свойства и характеристики плазмообразующих сред;
основы процесса плазмохимического травления;
оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы;
основные законы электротехники и вакуумной техники.
1) кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание оксида кремния путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки оксида кремния после нанесения по таблицам цветности;
2) мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок;
3) пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках;
4) пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии;
5) стеклопластины - ионно-плазменное нанесение оксида железа.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.
Параграф 42. Оператор плазмохимических процессов, 5 разряд
ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования;
нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом;
напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом;
подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы;
согласование нагрузок генератора высокой частоты;
выявление причин неисправностей в вакуумных системах;
выявление причин отклонения скорости плазмо-химической обработки от заданной и их устранение;
корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений;
контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов.
системы подачи и натекания газов;
основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов;
основы плазмохимического осаждения;
свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке;
физические и химические основы технологических процессов в плазме;
методы определения глубины травления;
методы определения толщины окислов;
устройство и настройку интерферометров.
1) пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния;
травление, высаживание пленки оксида кремния плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на приборе для наблюдения характеристик транзисторов, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе;
2) пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора;
3) пленки нитрида бора - плазмохимическое травление;
4) фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и плазмохимическое травление.
Параграф 43. Оператор плазмохимических процессов, 6 разряд
проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления;
определение скорости плазмохимического травления материалов;
самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах;
отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления;
оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов.
конструкцию вакуумных и газовых систем;
устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционноразрядных камер, методы их настройки и регулировки;
теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов;
влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов;
правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок;
основы теории плазмохимической обработки.
кремниевые пластины - плазмохимическое травление нитрида кремния, оксида аллюминия, ванадия.
Параграф 44. Оператор плазмохимических процессов, 7 разряд
проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании;
проведение многостадийных процессов травления;
плазмохимическое травление многослойных структур;
анизатропное травление поликремния;
сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка;
отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов;
правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов;
методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
1) кремниевые пластины - плазмохимическое травление аллюминия «АL/SL»;«ASI/TIW»;
2) кремниевые пластины - плазмохимическое травление «ФСС», «БФСС,SIО2» селективно к «SI, ПКК» при формировании контактов.
Параграф 45. Скрайбировщик пластин, 3 разряд
скрайбирование пластин на кристаллы заданной геометрии на установках различных типов;
скрайбирование ситалловых пластин;
задание исходных параметров обрабатываемых пластин на наладочном пульте;
задание на пульте управления шага реза;
обломка пластин по габаритному размеру;
деление пластины на кристаллы после скрайбирования с помощью приспособлений;
точное деление пластин на кристаллы (вручную);
определение качества деления на глаз и под микроскопом;
разбраковка полученных кристаллов и контроль габаритов с помощью микрометра.
назначение, устройство и систему управления установки скрайбирования;
правила пользования микроскопом;
механические свойства полупроводниковых материалов;
основные законы электротехники, основы оптики, технологические требования, предъявляемые к качеству и размерам кристаллов;
правила пользования микрометром.
1) кристаллы - отбраковка замаркированных кристаллов с помощью магнитного сепаратора;
2) пластины кремния и керамические - скрайбирование;
3) пластины - ломка на кристаллы;
4) подложки ситалловые - скрайбирование.
Параграф 46. Скрайбировщик пластин, 4 разряд
скрайбирование пластин на кристаллы заданной геометрии с размерами разделяющей дорожки не более 100 микрометров;
настройка установки и режущего инструмента (алмазного резца) на скрайбирование пластин заданных размеров;
контроль состояния резца под микроскопом;
самостоятельный выбор режимов резания;
замена режущего инструмента.
принцип работы полуавтоматов и автоматов для скрайбирования;
методы настройки и наладки скрайберной установки;
методы контроля величины усилия резца с помощью измерительного инструмента;
требования, предъявляемые к качеству режущей кромки алмазного резца;
методы контроля качества скрайбирования.
пластины - скрайбирование на установках типа «Алмаз».
Параграф 47. Плавильщик-литейщик прецизионных сплавов, 2 разряд
ведение процесса получения сплавов из благородных и редких металлов в электрической печи;
взвешивание на аналитических весах металлов, входящих в сплав;
обезжиривание сплавов, сушка;
подготовка ковша и загрузка кварцевых ампул навесками металлов;
изготовление электродных навесок коллектора из прецизионных сплавов;
проведение процессов литья электродных шариков коллектора, прокатка сплава коллектора и резка на электроды;
сортировка электродов по размерам, химическая обработка готовых электродов;
приготовление растворов для обработки.
принцип действия и блок-схему установки для литья;
назначение и условия применения соответствующего вспомогательного оборудования;
основные физико-химические свойства металлов, входящих в сплав;
назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов, приспособлений и инструментов, аналитических и технических весов;
свойства материалов, используемых для обработки сплавов;
оснастки (органические растворители, кислоты, щелочи), правила обращения с ними;
правила приготовления растворов, смесей для обработки.
1) сплавы двух- и трехкомпонентные свинец-серебро-олово;
фосфор-индий-галлий;
олово-свинец-сурьма;
индий-сурьма-галлий;
германий-сурьма-олово;
свинец-индий, мышьяк-германий - приготовление.
Параграф 48. Плавильщик-литейщик прецизионных сплавов, 3 разряд
проведение процессов плавки благородных и редких металлов в печах различных типов с применением вакуумной установки для создания вакуума в кварцевых ампулах с навесками металлов, на установках приготовления сплавов и открытым способом в ковшах;
изготовление пластин литьем из высокотемпературных сплавов;
изготовление электродных навесок эмиттера и базы из прецизионных сплавов;
проведение процессов изготовления электродных шариков эмиттера и базы, прокатка сплава эмиттера и базы и резка на электроды;
приготовление шлифа;
устранение мелких неисправностей вакуумной установки.
устройство и способы подналадки обслуживаемого оборудования электрической и водородной печей, вакуумных установок;
устройство измерительной аппаратуры;
основные свойства материала сплавов;
технические требования на сплавы;
основные понятия о механических и электрических свойствах материалов и деталей, идущих на сборку;
элементарные понятия о процессах испарения и конденсации.
1) сплавы четырех- и пятикомпонентные (свинец-индий-висмут-сурьма-олово;
свинец-висмут-сурьма-олово;
свинец-индий-висмут-сурьма-галлий) – приготовление;
2) сплавы шестикомпонентные (свинец-индий-висмут-сурьма-олово-галлий) – приготовление;
3) сплавы высокотемпературные, содержащие драгоценные металлы (золото – германий – никель - свинец – серебро - олово; золото - цинк) - приготовление, литье пластин.
Параграф 49. Плавильщик-литейщик прецизионных сплавов,
4 разряд
проведение процессов, плавки в тигле или лодочке с целью приготовления готовых сплавов;
естигельной зонной плавки;
плавки во взвешенном состоянии;
спекания, термической обработки (отжига), испарения и конденсация металлов, сплавов, металлодиэлектрических смесей, неорганических соединений в вакууме или контролируемой атмосфере;
обслуживание вакуумных электротермических установок;
изготовление, доводка и монтаж нагревателей, испарителей, экранов и другой сменной оснастки на вакуумных электротермических установках;
дозировка и загрузка исходных материалов в условиях строгого соблюдения правил вакуумной гигиены;
контроль степени разрешения или состава и давления атмосферы в камере установки;
анализ структуры под микроскопом и микросъема (фотографирование под микроскопом);
заключение о пригодности сплава.
устройство и принцип действия обслуживаемых установок;
устройство, назначение и условия применения соответствующего вспомогательного оборудования и измерительных приборов;
основы вакуумной техники и электротехники по обслуживанию электротермических установок средней сложности;
правила определения состава сплава и его структуры;
правила проведения микрофотосъемки.
Параграф50. Плавильщик-литейщик прецизионных сплавов, 5 разряд
проведение процессов плавки в тигле или лодочке с целью получения многокомпонентных сплавов;
обслуживание вакуумных электротермических установок любой сложности;
регулирование температуры в рабочей зоне и режима работы всех узлов установки;
корректировка состава сплавов и смесей, рафинирование металлов и соединений от примесей;
определение качества продукции по внешним признакам;
участие в наладке основного и вспомогательного оборудования;
запись показателей процесса в рабочем журнале.
конструкцию, принципиальные схемы и технические характеристики обслуживаемых установок;
способы наладки и настройки на рабочий режим основного и вспомогательного оборудования;
правила настройки и регулировки измерительных приборов;
условия и режимы получения продукции необходимого качества;
требования, предъявляемые к качеству исходных материалов и готовой продукции;
основы вакуумной техники, электротермии, электротехники.
1) сплавы прецизионного состава - проведение процесса выплавки в высоковакуумной индукционной плавильной печи;
2) металлы - проведение процесса бестигельной зонной плавки электронной бомбардировкой на специальной установке;
3) сплавы тугоплавкие - проведение процесса выплавки в электронно-лучевой плавильной печи;
4) сплавы прецизионные - проведение процесса выплавки на установке для плавки металлов во взвешенном состоянии.
Параграф 51. Плавильщик-литейщик прецизионных сплавов, 6 разряд
составление расчетных условий для проведения плавок по заданным рецептам, регулировка режимов плавки;
общий контроль за работой всех электротермических установок производственного участка.
признаки, характеризующие переходные моменты отдельных стадий и окончание технологического процесса;
наиболее рациональные режимы;
основы физической химии металлов;
поведение различных металлов и соединений при вакуумно-термической обработке;
значение примесей;
технические условия на продукцию.
Параграф 52. Координатографист прецизионной фотолитографии,
1 разряд
изготовление фотооригиналов простых изображений;
вычерчивание простых изображений, буквенных и цифровых надписей;
контроль оригинала;
приготовление рабочих компонентов - лака, туши, гуаши и рабочих инструментов;
увлажнение, лакирование и просушивание ватмана согласно инструкции.
основные понятия об изображении фотооригиналов;
правила, и способы буквенных и цифровых надписей;
назначение и условия применения наиболее распространенных простых приспособлений и рабочего инструмента;
правила и способы приготовления раскрасочных материалов;
последовательность обработки ватмана.
1) оригиналы шильдиков, схем, описей с насыщенным рисунком и текстом шифра № 12......15 – вычерчивание;
2) оригиналы односторонних печатных плат с шириной проводников 0,8-1 миллиметра – изготовление;
3) планки простые - вычерчивание надписей.
Параграф 53. Координатографист прецизионной фотолитографии,
2 разряд
вырезание на координатографах оригиналов средней сложности, состоящих из прямых линий, параллельных осям координат, и наклонных линий под любым углом с количеством точек до 1000 и их контроль;
разметка и вычерчивание рисунка в карандаше на ватмане, наклеенном на стекло;
обводка и заливка рисунка тушью;
подготовка эмали и стекла;
нанесение пленки эмали на стекло;
расчет координат и перевод их в заданный масштаб;
установка резца в резцовую оправку;
изготовление оригиналов простых двухсторонних печатных плат методом аппликации и их вырезка на координатографах;
пересчет координат точек элементов топологического чертежа с учетом введения допуска на размеры элементов;
обработка оригинала (снятие ненужных участков пленки и эмали);
изготовление фотооригиналов сложных изображений с надписью, простых шкал и односторонних фотооригиналов на печатные платы со свободным размещением проводников;
вычерчивание маркировочных знаков печатных плат;
разметка и нанесение координатной сетки на печатные платы.
наименование, назначение и условия применения наиболее распространенных универсальных и специальных приспособлений и рабочего инструмента;
основные правила технического черчения;
правила применения нормалей и государственных стандартов при вычерчивании;
назначение обслуживаемых приборов для изготовления фотооригиналов;
правила пользования ими во время работы;
основы технологии приготовления материалов;
общее устройство и основные технические данные координатографа, масштабы.
1) знаки товарные – вычерчивание;
2) оригиналы шильдиков, схем, описей с рисунком средней насыщенности и текстом шифра № 8.....12 – вычерчивание;
3) центры отверстий - разметка на ватмане в соответствии с координатами чертежа печатной платы.
Параграф 54. Координатографист прецизионной фотолитографии, 3 разряд
изготовление фотооригиналов сложных шкал и схем с плотным расположением проводников;
изготовление оригиналов средней степени сложности двухсторонних и многосторонних печатных плат методом вырезки и аппликации;
вырезка и контроль оригиналов средней сложности, элементы которых состоят из прямых наклонных линий, дуг и окружностей с количеством точек до 1500;
изготовление оригиналов на ватмане, наклеенном на стекле;
вычерчивание маркировочных знаков и буквенных обозначений в особо узких местах;
составление управляющих программ для вырезки оригиналов с количеством точек до 500 на автоматических координатографах.
устройство и способы подналадки координатографа;
устройство контрольно-измерительных инструментов и приборов, применяемых в процессе работы;
основы технического черчения;
правила размещения буквенных и маркировочных знаков с особо плотной насыщенностью;
допуски на ширину проводников и расстояний между ними;
основные свойства применяемых материалов;
общее устройство и технические данные программирующих устройств.
1) оригиналы шильдиков, схем, описей со сложным рисунком и текстом шифра № 6.....8 – вычерчивание;
2) фотооригиналы - изготовление на пленке «Рубелит» и на окрашенных стеклах на координатографе «Кортимат».
Параграф 55. Координатографист прецизионной фотолитографии, 4 разряд
изготовление, вырезание сложных оригиналов с количеством точек до 2000;
нанесение прямоугольного рисунка по заданному чертежу;
изготовление оригиналов на ватмане, наклеенном на стекле;
изготовление фотооригиналов двухсторонних печатных плат с подрезкой контактных площадок земляными экранами, ламповыми панелями, трансформаторами, реле и тому подобное;
проверка изготовленного фотооригинала;
составление управляющих программ для вырезки оригиналов с прямыми, наклонными линиями, дугами, окружностями с количеством точек до 1000;
проверка совмещения комплекта оригиналов;
исправление несложных ошибок на оригиналах;
выверка режущего инструмента;
проверка изготовленного фотооригинала.
конструкцию обслуживаемых и применяемых оптических приборов;
назначение и условия применения сложных и точных инструментов;
технологические требования, предъявляемые при изготовлении оригиналов;
монтаж сложных и особо сложных двухсторонних схем;
допуски на ширину проводников и расстояние между ними для двухстороннего монтажа;
основы теории схемографии.
1) комплекты совмещаемых многослойных печатных плат - изготовление оригиналов для многослойного печатного монтажа;
2) оригиналы пленочных, гибридных и твердых микросхем - изготовление по заданному чертежу с точностью «±0,0З миллиметра»;
3) циферблаты для шкал приборов - вычерчивание.
Параграф 56. Координатографист прецизионной фотолитографии,
5 разряд
изготовление, проверка и измерение оригиналов повышенной сложности печатных плат и микросхем с количеством точек «2500» и более на координатографах с налаживанием их, выверкой и настройкой применяемых приборов;
составление управляющих программ для вырезки оригиналов на автоматических координатографах с количеством точек «1500»;
исправление ошибок на оригиналах;
самостоятельный ввод допуска на размеры элементов изготавливаемых оригиналов;
выбор маршрута их изготовления;
самостоятельный выбор оборудования и приспособлений на работу заданной сложности;
ретушь оригиналов.
конструкцию координатографов различных типов и моделей;
правила настройки, регулирования и проверки на точность координатографа, контрольно-измерительных приборов, вспомогательных приспособлений и программирующих устройств;
правила построения на фотооригинале печатных плат и микросхем любой сложности.
Параграф 57. Фотограф прецизионной фотолитографии, 3 разряд
изготовление несложных эмульсионных, металлизированных промежуточных оригиналов и фотошаблонов на фотокамере, фотоштампах;
подготовка простых металлизированных промежуточных оригиналов к мультипликации;
изготовление пленочных фотошаблонов;
изготовление фотошаблонов односторонних печатных плат;
подбор режимов экспонирования и фотообработки для эмульсионных и фоторезистивных стеклопластин;
контактная фотографическая печать;
перепечатка фотошаблонов с рабочего оригинала;
оценка качества пробного и тестовых отсъемов на генераторе изображений, фотокамерах и фотоштампах;
приготовление растворов для обработки фотослоя.
устройство, способы подналадки и принцип действия обслуживаемого оборудования;
устройство и технические данные фотокамеры;
режимы экспонирования, проявления и фиксации;
основы фотохимии, оптики, фотолитографии;
методы и способы проверки работы оборудования.
1) диэлектрик-металл-полупроводник и малые интегральные схемы - изготовление эмульсионного и металлизированного промежуточного оригинала;
изготовление металлизированного эталонного фотошаблона;
2) фотошаблоны пленочные - изготовление с белков;
3) фотошаблоны односторонних печатных плат - изготовление;
4) фотопластины - проявление на основе эмульсии сухого коллодиона;
5) штриховые негативы - контактная печать на фотобумаге.
Параграф 58. Фотограф прецизионной фотолитографии, 4 разряд
изготовление эмульсионных, металлизированных промежуточных оригиналов и фотошаблонов средней сложности на различном оборудовании;
подготовка металлизированных промежуточных оригиналов средней сложности к мультипликации;
изготовление пленочных фотошаблонов двухсторонних печатных плат;
мультипликация пленочных фотошаблонов с точностью ±50 микрометров на фотокамере;
подбор режима обработки фотопластин или фоторезистивных пластин при изготовлении промежуточных оригиналов и фотошаблонов;
выбор и настройка установки и оптики для получения несложных фотошаблонов;
измерение размеров на фотошаблоне с помощью микроскопов;
подбор проявителей и травителей для хромированных стеклопластин.
устройство применяемого оборудования и методы настройки оборудования;
фотохимические процессы, протекающие при обработке фотоматериалов (эмульсии, резисты);
свойства химикатов и их роль в процессе фотообработки;
свойства, характеристики фотоматериалов (светочувствительность, зернистость, разрешающая способность, вуаль, контрастность изображения, фотографическая широта);
фотолитографический процесс, общие понятия по корректировке режимов;
принцип работы с микроскопами.
1) двухсторонние оригиналы - настройка фотоаппарата на размер, фотографирование;
2) изделия среднией интегральной схемы и изделия сверхвысокочастоты;
проведение экспресс-контроля фотошаблонных заготовок, изготовление эмульсионного и металлизированного промежуточного оригинала;
подготовка металлизированного промежуточного оригинала к мультипликации;
изготовление металлизированных эталонных фотошаблонов;
исправление дефектных промежуточных оригиналов и фотошаблонов на ретушере.
3) пленочный мультиплицированный фотошаблон - изготовление.
Параграф 59. Фотограф прецизионной фотолитографии, 5 разряд
изготовление сложных эмульсионных, металлизированных промежуточных оригиналов и фотошаблонов;
изготовление пленочных фотошаблонов «НЭЧ» и выводных рамок методом мультипликации с точностью совмещения до 20 микрометров;
изготовление фотошаблонов, многослойных печатных плат;
подбор режимов обработки;
выбор метода обработки фотоматериалов и проведения технологических операций по обработке фотошаблонов;
настройка установок, подбор оптики, выбор фотоматериалов для изготовления особо точных шаблонов;
составление программ запуска эмульсионных и металлизированных промежуточных оригиналов на генераторе изображений;
расчет программ на распечатку металлизированных эталонных фотошаблонов на фотоштампе;
проведение измерений с помощью микроскопа;
исправление отдельных элементов на фотошаблоне.
устройство и способы проверки на точность различных моделей обслуживаемого оборудования;
режимы фотографической обработки;
критерии оценки надежности работы генераторов изображений, фотоштампов, возможные методы устранения имеющихся отклонений;
характеристики метода сканирования и метода фотонабора, используемых при получении изображения на фотонаборных установках;
математическое обеспечение генераторов изображения;
погрешности изображения в оптических системах;
возможные виды брака и методы его устранения;
технические требования и документацию на изготавливаемые изделия.
1) аппаратура, узлы, детали контактных приборов с полутоновым изображением - контактное печатание фотоснимков, фотографирование для технической документации;
2) групповые фотошаблоны плат, подлежащие обработке на штампах - изготовление;
3) металлизированные эталонные фотошаблоны изделия больших интегральных схем, сверхбольших интегральных схем - изготовление;
4) полутоновые негативы на фотопластинках и фотопленках - обработка;
5) сложные, эмульсионные, металлизированные, пленочные промежуточные оригиналы и фотошаблоны - изготовление и контроль качества их согласно требованиям конструкторской документации;
6) таблицы телевизионные испытательные - изготовление рабочих негативов и позитивов по II классу точности.
Параграф 60. Фотограф прецизионной фотолитографии, 6 разряд
изготовление сложных фотошаблонов, эмульсионных и металлизированных промежуточных оригиналов;
самостоятельный подбор необходимой аппаратуры, режимов изготовления, контрольно-измерительных приборов, светочувствительного материала и химикатов;
определение и коррекция режима фотохимического и фотолитографического процесса для получения мелкоструктурных негативных, диапозитивных и позитивных изображений с соблюдением геометрических форм в пределах заданного класса точности.
устройство, принцип работы, способы и правила проверки прецизионных фотокамер всех типов, генераторов изображений, фотоштампов;
основы прецизионной фотолитографии;
назначение, устройство и правила эксплуатации контрольно-измерительной и светотехнической аппаратуры и приборов;
рецептуру растворов для фотохимического процесса;
режимы фотолитографической и фотохимической обработки.
1) металлизированные промежуточные оригиналы различной сложности изделий - проведение экспресс-контроля, подготовка к мультипликации;
2) таблицы телевизионные испытательные - изготовление рабочих негативов по 1 классу точности;
3) твердые схемы - изготовление комплекта совмещаемых фотошаблонов с размножением свыше 100 модулей по рабочему полю;
4) фотошаблоны пленочные - полный цикл изготовления с использованием различных фотоматериалов; изготовление технических фотографий на разных типах фотобумаги.
Параграф 61. Эмульсировщик прецизионной фотолитографии, 2 разряд
приготовление различных растворов;
отмывка стекол от загрязнений;
фильтрование растворов через фильтры различного вида;
приготовление раствора желатина;
нанесение эмульсии на отдельные небольшие участки стекла, к которому не предъявлены высокие требования;
установление режимов работы ванн отмывки.
назначение и правила эксплуатации сушильных шкафов центрифуг;
правила обращения с эмульсиями;
требования, предъявляемые к подложкам;
правила работы с кислотами и щелочами.
Параграф 62. Эмульсировщик прецизионной фотолитографии,
3 разряд
приготовление различных растворов;
нанесение подслоя и эмульсии на полированные поверхности стекла;
приготовление эмульсий с высокой разрешающей способностью (до 700 лин/миллиметров), пригодных для изготовления фотошаблонов;
охлаждение и сушка эмульсии.
конструкции и правила эксплуатации специальных холодильников, сушильных шкафов, центрифуг и специальных поливных устройств;
технологический и температурный режимы обработки эмульсий;
основные требования, предъявляемые к эмульсии и подслою;
правила работы с концентрированными кислотами и щелочами.
Параграф 63. Эмульсировщик прецизионной фотолитографии,
4 разряд
нанесение эмульсии определенной толщины на полированную поверхность стекла;
подготовка и сушка коллоксилина;
приготовление фотопластин на основе сухого коллодиона с разрешающей способностью «800-1000» лин/ миллиметров;
выполнение работ, связанных с замерами на «РН-метре»;
проверка качества растворов, дистиллированной и деионизированной воды.
конструкции и правила эксплуатации всех установок, необходимых для приготовления растворов и полива пластин;
свойства растворов, качество фотопластин;
требования, предъявляемые к эмульсии.
Параграф 64. Аппаратчик по обслуживанию рекуператоров и системы охлаждения, 5 разряд
188.Характеристикаработ.
ведение процесса подогрева вторичного воздуха для циклонной печи и подогрева воздуха, идущего на сушку материалов;
регулирование температуры в цепи аппаратов газового тракта;
отбор проб;
наблюдение за монометрическим и температурным режимами аппаратов и выходом грубых возгонов (оборотных материалов), за поступлением воды в змеевики и кессоны водоохлаждаемых аппаратов;
переключение газопроводов;
выгрузка из аппаратов уловленной пыли;
чистка газопроводов и водоохлаждаемых поверхностей оборудования от осевших материалов;
обслуживание дробеочистки рекуператора, запорных и выпускаемых затворов, дросселей, задвижек и другого оборудования, участие в их ремонте;
хлаждение газов водой путем впрыскивания ее форсунками;
увлажнение и затаривание материалов.
189.Должен знать:
устройство аппаратов, выпускных механизмов и другого обслуживаемого оборудования, их назначение и взаимодействие;
влияние тяги и температуры газа на режим работы всего газового тракта цеха;
схему газовой, воздушной и водяной коммуникаций;
состав газов;
виды и основные свойства возгонов и сырья;
требования, предъявляемые к обслуживанию аппаратов.
При выполнении работ под руководством аппаратчика более высокой квалификации
Параграф 65. Оператор термосоединений, 3 разряд
ведение процесса пайки различных деталей и узлов полупроводниковых приборов в атмосфере водорода, азота, а также в окислительной среде;
обслуживание водородных печей (колпаковых, конвейерных, толкательных и другое);
контроль режима пайки и других термических режимов (обжига, отжига и так далее);
регулирование температуры, газовых режимов и скорости конвейерной ленты в печах;
отжиг деталей в водородных печах.
правила работы на обслуживаемом оборудовании, способы подналадки;
основные законы электротехники и вакуумной техники в пределах выполняемых работ;
процесс контроля степени осушки газов;
требования, предъявляемые к качеству выпускаемой продукции.
1) арматура - пайка в водородной печи;
2) диоды - герметизация в печи;
3) изоляторы - пайка в медный фланец высокотемпературным припоем;
4) изоляторы - пайка медных выводов в коваровую трубку;
5) кристаллы, кристаллодержатель - припаивание к ножке;
6) основания для микросхем - склеивание в печах в водородной и азотной среде;
7) переходы - напайка на держатель;
8) приборы полупроводниковые - вплавление электродов коллектора и эммитера;
приплавление выводов коллектора и эммитера;
приплавление кристаллов;
вжигание никеля;
пайка деталей и узлов полупроводниковых приборов с применением мягких и твердых припоев в атмосфере водорода на конвейерных и в колпаковых печах;
9) штыри, выводы, основания, детали - отжиг.
Параграф 66. Оператор термосоединений, 4 разряд
проведение процессов пайки;
самостоятельное обслуживание водородных печей (колпаковых, конвейерных и так далее);
замер кривой распределения температуры по зонам;
корректировка режимов пайки;
проверка качества пайки и вакуумноплотного спая.
устройство оборудования различных моделей, правила наладки и проверки на точность обслуживаемого оборудования;
устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов;
назначение процессов пайки;
требования, предъявляемые к газам;
основы вакуумной техники и электротехники.
1) баллоны - спекание в водородной печи;
2) бусы - вплавление;
3) диск коллекторный - пайка с помощью флюса, паяльной пасты;
4) изоляторы полупроводниковых приборов - спекание в водородных печах;
5) корпуса приборов, полученные методом шликерного литья - спекание;
6) приборы полупроводниковые - пайка арматуры;
вплавление электродов в пластину;
7) приборы полупроводниковые - получение вакуумноплотного соединения стекла с металлом в конвейерных или силитовых печах в атмосфере азота и в окислительной среде;
8) термокомпенсаторы - спекание;
9) цоколи, основания, упоры, толкатели - спай стекла с металлом.
Параграф 67. Плавильщик циклонной установки, 5 разряд
загрузка золы, угля-восстановителя и других компонентов шихты;
регулирование поступления горючего, воздуха и температуры;
проверка состояния ванны, расплавленной массы, свода, стен копильника, состояние печи, форсунок, желобов, выпускных отверстий, рабочих площадок, исправности инструмента и наличия материалов;
управление загрузочными механизмами, весоизмерителями и транспортными средствами;
отбор проб;
открывание и закрывание выпускных отверстий;
обслуживание установки, вспомогательного оборудования и участие в их ремонте;
ведение процесса плавки шихты в циклонной установке под руководством плавильщика более высокой квалификации.
технические условия и требования, предъявляемые к качеству сырья, материалов, шихты, огнеупорных материалов и продуктов плавки;
расположение и емкость расходных бункеров и других загрузочных устройств;
предельную нагрузку оборудования;
схемы тепловой, воздушной и водяной коммуникаций и газоходов;
состав газов;
факторы, влияющие на производительность установок;
установленное извлечение и содержание металла в отвальных шлаках;
виды и основные свойства топлива;
условную сигнализацию.
При участии в процессе плавки шихты в циклонной установке совместно с плавильщиком более высокой квалификации- 4 разряд.
Параграф 68. Плавильщик циклонной установки, 6 разряд
ведение процесса плавки шихты в циклонной установке;
наблюдение за помолом угля, подачей топлива и сырья в расходные бункера, за необходимым его запасом, за правильным исполнением технологических инструкций и режимных карт, за поступлением воды, топлива, воздуха в установки, за состоянием оборудования, вентиляции, механизмов, отсасывающих газ;
проверка правильности показаний приборов, температуры в копильнике и температуры отходящего воздуха;
ведение технической документации, учет выпуска продукции;
выявление и устранение неисправностей в работе обслуживаемого оборудования.
конструктивные особенности установок;
значение влияния химического состава шихты, восстановителя и температуры на процесс пироселекции германия при плавке шихты в циклонной установке;
способы воздействия на ход производственного процесса с целью наиболее полного перевода германия в газовую фазу;
свойства применяемого сырья и материалов;
состав шихты и продуктов плавки;
основы физики, химии и теплотехники.
Параграф 69. Оператор элионных процессов, 4 разряд
ведение элионного процесса обработки (легирования, микрофрезерования, микросварки, резки, создания электронно-дырочных переходов на установках специализированного типа;
подготовка установок к процессу обработки, включение форвакуумных насосов;
вывод высоковакуумных агрегатов в рабочий режим, включение вспомогательного электрического оборудования, загрузка контейнера с обрабатываемым материалом (пластинами) в приемное устройство;
подготовка и включение ионного (электронного) источника;
контроль за работой оборудования с помощью контрольно-измерительных приборов и поддержание заданных режимов обработки;
ведение рабочего журнала;
подналадка отдельных простых и средней сложности узлов и механизмов установок под руководством оператора более высокой квалификации.
содержание установок в технически исправном состоянии.
устройство, принцип действия и правила обслуживания установок специализированного типа;
основные законы электротехники и основы вакуумной техники в пределах выполняемой работы;
особенности работы с высоковольтным оборудованием;
методы и способы контроля элионного процесса обработки и системы вакуума в установке;
инструкцию по эксплуатации установки, характерные неисправности и методы их устранения.
Параграф 70. Оператор элионных процессов, 5 разряд
ведение элионного процесса обработки (легирование, микрофрезерование, микросварка, резка, создание электронно-дырочных переходов и так далее) на установках универсального типа и на установках с программным управлением;
настройка установок на заданный технологический режим;
выявление, определение величины и устранение вакуумных течей;
ремонт и наладка различной сложности узлов и механизмов установок.
кинематическую и электрическую схемы установок универсального типа;
назначение и устройство контрольно-измерительных приборов;
правила и методы наладки установок на заданный режим;
правила настройки приборов для контроля процесса обработки;
основные методы подготовки и ввода информации в вычислительную машину для управления технологическим процессом;
способы устранения неисправностей в процессе работы установок;
основы электротехники и вакуумной техники.
Параграф 71. Оператор элионных процессов, 6 разряд
ведение элионного процесса обработки (легирование, микрофрезерование, микросварка, резка, создание электронно-дырочных переходов и другое) на экспериментальных и опытных установках;
выбор технологических режимов и настройка отклоняющей (управляющей) системы на различные рабочие режимы обработки;
определение причин отклонения от заданных режимов обработки и их устранение;
ремонт и наладка сложных узлов и механизмов всех типов;
руководство работой операторов более низких разрядов.
конструкцию, правила проверки и настройки установок всех типов и особенности их эксплуатации;
физические основы элионных процессов обработки;
правила выбора оптимальных режимов работы установок.
Параграф 72. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев, 3 разряд
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев с определенными параметрами на установках эпитаксиального наращивания;
подготовка оборудования к работе, проверка оборудования на герметичность, загрузка и разгрузка подложек;
контроль и корректировка режима процесса наращивания;
проверка качества применяемых подложек, материалов;
ведение процесса газового травления;
замер температуры оптическим пирометром;
заправка испарителей хлорида кремния;
снятие и установка кварцевой оснастки на оборудовании различных типов;
проведение профилактики газовой системы;
замена баллонов.
устройство важнейших частей, принцип действия установок эпитаксиального наращивания и контрольно-измерительных приборов;
свойства химикатов, применяемых для наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
реакции, происходящие на поверхности подложки в процессе наращивания;
влияние примесей на качество эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
способы градуирования ротаметров;
методы измерения и регулирования температуры процесса наращивания испарителей, охлаждения реактора;
правила работы с баллонами, магистральными газами и газовыми смесями.
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические, металлические слои - наращивание однослойных структур.
Параграф 73. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев,
4 разряд
ведение процесса наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев всех типов;
корректировка процесса наращивания по результатам контрольного процесса;
расчет скорости наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
расчет концентрации легирующей примеси;
карбидизация графитовых нагревателей (пьедесталов);
приготовление растворов хлорида кремния с определенной концентрацией легирующей примеси;
определение неисправностей в установках.
устройство и способы подналадки оборудования различных типов;
методы наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев и их свойства;
свойства полупроводниковых материалов;
свойства газов;
методы измерения основных электрофизических и структурных параметров эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических структур;
устройство, назначение и условия применения приборов для контроля процесса, системы газораспределения и водяного охлаждения;
влияние концентрации легирующей примеси на параметры эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
основы электротехники в пределах выполняемой работы.
1) эпитаксиальные, поликристаллические, диэлектрические и металлические слои - наращивание структур со скрытыми слоями.
Параграф 74. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев, 5 разряд
ведение процессов наращивания многослойных эпитаксиальных структур, диэлектрических слоев;
наращивание сверхтонких поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
устранение разброса параметров слоев различными методами;
замена стаканов и настройка индукторов по температурному режиму на установках, использующих высокочастотный-нагрев;
настройка температурного режима процесса на установках, использующих инфракрасные и другие виды нагрева;
задание режимов на электронной системе управления технологическим процессом.
электрическую и газовую сему обслуживаемого оборудования, способы ее проверки;
основные неисправности и методы их устранения;
режимы и правила проведения процессов для получения сложных и многослойных эпитаксиальных структур, поликристаллических, диэлектрических, металлических слоев;
правила настройки и регулировки приборов для контроля процесса;
основы теории процесса эпитаксиального наращивания;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом.
1) структуры многослойные эпитаксиальные - наращивание с заданными параметрами;
2) структура многослойная диэлектрик - полупроводник – наращивание;
3) слои тонкие эпитаксиальные - наращивание.
Параграф 75. Оператор по наращиванию эпитаксиальных слоев, 6 разряд
самостоятельное ведение процессов получения эпитаксиальных, диэлектрических, поликристаллических и металлических слоев любого назначения на оборудовании различных типов;
проведение процессов, стимулированных плазмой, и процессов с использованием газообразных, жидкостных и твердых источников;
проведение экспериментальных и опытных работ по наращиванию слоев;
самостоятельная корректировка режимов в процессе работы;
расчет концентрации легирующей примеси, расчет скорости потоков паров и газов, температурных режимов;
задание и корректировка режимов на электронной системе управления технологическим процессом.
конструкцию, способы и правила наладки различных типов оборудования;
правила работы с электронной системой управления технологическим процессом;
методы прецизионной обработки полупроводниковых материалов;
методы расчета концентрации легирующей примеси;
особенности процессов диффузии и наращивания эпитаксиальных, поликристаллических, диэлектрических и металлических слоев;
конструкцию полупроводниковых приборов и твердых схем на основе эпитаксиальных структур;
основы теории полупроводников;
физические и химические основы технологических процессов наращивания.
219.Требуется техническое и профессиональное ( среднее специальное, среднее профессиональное ) образование. .
1) многослойные эпитаксиальные структуры - наращивание с различными заданными параметрами;
2) локальная эпитаксия - наращивание.
3-глава. «Пьезотехническое производство»
Параграф 1. Зарядчик автоклавов, 1 разряд
промывание кусков кварца в чанах и баках;
сортировка шихты и отбраковка кварца, содержащего посторонние примеси и включение других материалов;
навешивание затравочных пластин и бирок на рамки;
установка рамок в контейнеры;
промывание и сушка кристаллов;
взвешивание кристаллов и реактивов на технических весах;
контроль за заполнением бака дистиллированной водой.
способы очистки, промывания и отбраковки кварца и кристаллов;
правила навешивания затравочных пластин на рамки и установки их в контейнеры;
взвешивание кристаллов и реактивов на технических весах;
порядок заполнения бака дистиллированной водой;
требования действующих инструкций и стандартов, предъявляемые к шихте и затравочным пластинам.
Параграф 2. Зарядчик автоклавов, 2 разряд
подготовка шихты (промывание в грохотах, мойках, сортировка на рудоразборном транспорте);
загрузка шихты в корзины и взвешивание ее;
контроль за установкой корзин с шихтой и рамок или контейнеров с затравочными пластинами в автоклавы;
подбор рамок различных типов затравок и автоклавов;
определение средней длины затравок в цикле;
определение общей площади завески;
приготовление раствора заданной консистенции и заливка его в напорный бак;
получение дистиллированной воды в ионно- или теплообменном аппарате;
заполнение автоклава дистиллированной водой для промывки;
снятие кристаллов с рамок.
основы технологического процесса выращивания кристаллов кварца в автоклавах;
основные физические и химические свойства кристаллов кварца;
порядок подготовки и загрузки шихты;
методы приготовления дистиллированной воды и раствора заданной концентрации;
технические требования, предъявляемые к шихте для выращивания кристаллов;
способы заливки воды в автоклавы для промывки;
порядок выемки рамок и снятия кристаллов;
требования, предъявляемые к рамкам затравок различного типа;
правила калибровки и определения общей площади затравок.
Параграф 3. Зарядчик автоклавов, 3 разряд
зарядка автоклавов;
расчет количества реактивов для приготовления раствора заданной рецептуры и концентрации;
определение концентрации раствора и доведение ее до заданной величины;
взятие пробы растворов;
заполнение автоклавов раствором в соответствии с заданным коэффициентом;
измерение уровня твердой фазы;
подбор комплекта колец с затравками и сборка их в контейнер;
пределение объема камеры роста автоклава, определение типов и видов затравок;
замещение затравок в контейнере с учетом особенностей роста кристаллов;
определение веса, количества и общей площади затравочных пластин в автоклаве;
заполнение автоклавов раствором до заданного уровня;
регистрация всех замеров в журнале;
элементарное описание контрольных кристаллов.
способы заполнения автоклавов раствором и расчет свободного объема автоклава;
методы замеры толщины и скорости роста кристаллов, снятия их с рамок;
порядок описания контрольных кристаллов;
способы измерения уровня и определения толщины слоя выпавшей твердой фазы;
состав, физические и химические свойства растворов;
различные способы выражения концентрации растворов (молярные, нормальные, процентные и другое);
правила расчета количества реактивов по заданной рецептуре;
способы приготовления и хранения реактивов, определения концентрации растворов и доведения ее до заданной величины;
правила обращения с реактивами и химикатами;
методы определения объема камеры роста;
порядок комплектации контейнеров;
особенности роста кристаллов на затравках различных типов и в зависимости от места нахождения затравок в автоклаве;
правила определения веса;
площади и количества затравок в сборке;
технические требования на зарядку автоклава;
основные сведения по химии в объеме выполняемых работ;
порядок ведения учетной и технической документации.
Параграф 4. Зарядчик автоклавов, 4 разряд
зарядка опытных автоклавов сверхвысокого давления;
обслуживание поточной линии по приготовлению рабочего раствора заданной рецептуры и концентрации;
завешивание затравок и проведение необходимых расчетов для выполнения опытных заказов;
завешивание затравочных пластин на кольца с соблюдением ориентации ±Х;
снятие и осмотр выращенных блоков и выявление различных отклонений от заданных размеров;
измерение толщины кристаллов и блоков с точностью до ±0;5 миллиметра;
определение модификации кристаллов и включений в кристаллах и блоках;
упаковка всех видов сырья с оформлением соответствующей технической документации.
основные сведения о кристаллах кварца (строение, направление кристаллографических осей);
способы определения модификации кристаллов;
способы определения количества включений в кристаллах;
схему обслуживания поточной линии по приготовлению рабочего раствора;
порядок оформления документации в журналах после завески, осмотра и замера кристаллов;
методы определения дефектов блоков и кристаллов;
технические требования по снятию и осмотру кристаллов и блоков.
Параграф 5. Слесарь-опрессовщик, 2 разряд
выполнение подготовительных работ по зарядке сосудов;
очистка сосудов и их внутренних устройств;
промывание сосудов после завершения циклов;
установка корзин, контейнеров или одиночных рамок;
извлечение из сосудов и транспортировка готовой продукции;
вспомогательные работы по обслуживанию механизмов при монтаже и демонтаже затворов;
выполнение прочих вспомогательных работ при закрытии и вскрытии сосудов.
наименование и назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования;
устройство автоклавов;
способы очистки оборудования от остаточных продуктов и промывания сосудов;
рабочий инструмент;
основы слесарного дела.
Параграф 6. Слесарь-опрессовщик, 3 разряд
гидравлическое испытание сосудов высокого давления.
сборка и разборка затворов, стравливание и очистка теплоизоляции, сосудов высокого давления.
установка арматуры и контрольно-измерительных приборов в комплекте.
монтаж и демонтаж внутренних устройств сосудов высокого давления.
демонтаж арматуры и контрольно-измерительных приборов в комплекте.
зарядка и разрядка аппаратов высокого давления.
конструкцию и способы подналадки обслуживаемых автоклавов;
правила гидравлического испытания сосудов высокого давления;
способы ликвидации неисправностей в сосудах;
требования, предъявляемые к сосудам перед зарядкой;
способы и правила монтажа уплотнения сосудов высокого давления;
контрольно-измерительный инструмент, необходимый для работы при вскрытии и закрытии сосудов;
способы сборки и разборки затвора, сборки стравливающей системы, опускания кармана термопары;
основы физики в объеме выполняемой работы.
Параграф 7. Слесарь-опрессовщик, 4 разряд
опрессовка автоклавов высокого давления;
осмотр и определение возможности дальнейшей эксплуатации деталей затвора;
сборка манометрической системы.
установка манометра со штуцером и монтаж стравливающей системы.
контрольная и окончательная сборка затвора автоклава.
контрольное обжатие обтюраторов для определения герметичности закрытия автоклавов.
притирка конусов карманов термопар и установка тройников с манометром на фланцах автоклавов.
монтаж всех видов заглушек и коммуникации автоклавов.
гидравлическая опрессовка автоклавов.
стравливание давления в автоклавах.
обслуживание гидравлического компрессора высокого давления.
замена внутренних электронагревателей с удалением твердой фазы.
устройство оборудования различных моделей, кинематику, электрическую схему, правила наладки обслуживаемого оборудования;
порядок осмотра деталей затвора с целью определения их дальнейшей пригодности;
способы сборки и монтажа манометрической и стравливающей системы затвора, коммуникаций автоклавов и всех заглушек;
методы контрольного обжатия обтюраторов, притирки конусов, гидравлических опрессовок автоклавов.
Параграф 8. Слесарь-опрессовщик, 5 разряд
подготовка обтюраторов и ремонт деталей затворов к сосудам высокого давления;
замена нижних нагревательных элементов с очисткой твердой фазы и доводкой уплотнительных поверхностей до шероховатости 0,16 микрометров;
ремонт автоклавов всех видов и проведение гидравлических испытаний;
замена манометров на сосудах, находящихся в цикле (высокая температура, давление);
восстановление и замена сложных узлов и деталей;
вскрытие, закрытие аппарата сверхвысокого давления, монтаж и демонтаж манометрической системы, опрессовка и травление сосудов сверхвысокого давления;
выявление и устранение дефектов во время эксплуатации оборудования методом дефектоскопии, травлением и металлизаций внутренних и наружных швов автоклавов;
проверка на точность, испытание под нагрузкой и сдача отремонтированного оборудования.
принцип работы автоклавов высокого давления;
конструктивные особенности и устройство ремонтируемого сложного оборудования;
методы ремонта, сборки и монтажа, проверки на точность и испытания отремонтированного оборудования;
правила устройства и безопасной эксплуатации сосудов, работающих под давлением;
технические условия на ремонт, испытание и сдачу сложного оборудования;
теорию определения дефектов методом металлизации, дефектоскопией и травлением;
курс теоретической механики в объеме выполняемых работ.
Параграф 9. Поляризатор, 3 разряд
ведение процесса поляризации шлифованных пьезокерамических изделий в специальной поляризационной установке;
промывание и крепление заготовок отожженной пьезокерамики в зажимном приспособлении;
проверка автоблокировки и правильность подключения поляризационной установки;
подготовка заготовок пьезоэлементов к поляризации;
загрузка и выгрузка пьезоэлементов;
контроль за температурой поляризации, определение напряжения по статическому вольтметру;
проверка разрядки поляризационной установки;
чистка камер и замена рабочей жидкости.
принцип и способы поляризации пьезокерамических изделий;
устройство поляризационной установки, ее контрольно-измерительных приборов и приспособлений;
методы проверки автоблокировки и правильности подключения поляризационной установки;
способы определения напряжения и проверки разрядки;
требования, предъявляемые к поляризации пьезокерамики.
1) цилиндры пьезокерамические для устройств зажигания - проведение процесса поляризации;
2) элементы призматические из материала «ТБК-3» или «ЦТБС-3» - проведение процесса поляризации.
Параграф 10. Поляризатор, 4 разряд
ведение процесса поляризации пьезокерамических изделий различного назначения и конфигурации в высоковольтной поляризационной установке на поляризационных конвейерах, полуавтоматах и автоматах;
составление и ввод исходных и требуемых параметров поляризуемых пьезоэлементов в блок автоматики поляризационной установки;
расчет и подсоединение дополнительных сопротивлений при установке заготовок в зашитном приспособлении;
поддержание заданного режима поляризации по секциям конвейерной линии с помощью силовольтметров и терморегулирующих приборов;
проверка надежности заземления, состояния средств и системы блокировки линии;
контроль режимов поляризации;
проверка пьезоэлементов по внешнему виду.
устройство, принцип работы и правила эксплуатации обслуживаемого оборудования;
назначение контрольно-измерительных приборов;
методы проверки автоблокировки и правильности подключения конвейерной линии поляризации;
технологический процесс поляризации;
требования, предъявляемые к поляризационным изделиям;
способы определения полярности заполяризованных изделий;
способы оценки заполяризованности;
назначение выпускаемой продукции.
1) диски пьезокерамические - поляризация на установке конвейерного типа;
2) пьезокерамические резонаторы для фильтров - поляризация на установках конвейерного типа и импульсных установках;
3) трубчатые пьезоэлементы - поляризация на полуавтомате.
Параграф 11. Оператор по выращиванию кристаллов
пьезокварца, 2 разряд
выращивание кристаллов пьезокварца в типовых автоклавах под руководством оператора более высокого разряда;
периодические замеры давления и температуры в автоклавах;
регулирование теплоизоляции по указанию оператора высшего разряда;
регистрация в журнале показаний манометров, электро- и термоизмерительных приборов.
основы процесса выращивания кристаллов пьезокварца в автоклавах;
порядок регулирования теплоизоляции;
правила записи показаний контрольно-измерительных приборов в журнале;
основы электротехники в пределах выполняемых работ.
Параграф 12. Оператор по выращиванию кристаллов пьезокварца,
3 разряд
самостоятельное выращивание кристаллов пьезокварца в типовых автоклавах;
подсчет градиентов, перепадов температур по стенкам, средних величин температур за сутки и среднесуточных величин мощностей;
контроль за показаниями приборов, схем автоматизации, сигнализации и электропитания автоклавов.
устройство и способы подналадки обслуживаемого оборудования;
порядок подсчета градиентов, средних величин температур и мощностей;
методы проверки состояния автоматики, сигнализации и электропитания автоклавов;
назначение, принцип работы и правила технической эксплуатации контрольно-измерительных приборов, применяемых при выращивании пьезокварца;
значение погрешности измерительных приборов;
основы электротехники в пределах выполняемых работ.
Параграф 13. Оператор по выращиванию кристаллов пьезокварца, 4 разряд
выращивание кристаллов пьезокварца в опытных автоклавах высокого давления;
регулирование режимов выращивания;
регулирование напряжения на регулировочной обмотке автоклавов;
проверка, включение и выключение цепей электронагрева, электроизмерений, автоматики и сигнализации автоклавов при вводе и выводе их из режима;
наблюдение за показаниями электро- и термоизмерительных приборов и манометров на автоклавах;
измерение температурных режимов автоклавов и регистрация их в журнале;
оформление технической документации по вводу автоклавов в режим работы;
подсчет величин мощностей при вводе автоклавов в режим;
устранение мелких неисправностей в схемах.
устройство автоклавов, конструкцию, способы и правила проверки на точность установленной на них аппаратуры;
расположение и основные сведения нагревателей автоклавов;
назначение и правила технической эксплуатации электросилового оборудования, применяемого для выращивания пъезокварца;
методы регулирования температурного режима и напряжения;
основные понятия о теплопередаче и изоляции, о тепло-, электроизмерениях и измерениях давления;
свойства теплоизоляционных материалов;
схемы электропитания автоматики, сигнализации, термоизмерения автоклавов;
методы проверки цепей электронагрева, электроизмерения, автоматики и сигнализации;
порядок ввода автоклавов в заданный режим работы и вывода из него;
методы подсчета допустимых температур и мощностей нагрева автоклавов и измерения температурных режимов;
основные сведения о кристаллах кварца;
правила ведения технологической документации процесса выращивания кристаллов;
основы электротехники в объеме выполняемых работ.
Параграф 14. Оператор по выращиванию кристаллов пьезокварца,
5 разряд
выращивание кристаллов пьезокварца в опытных автоклавах сверхвысокого давления;
контроль за режимом технологического процесса;
ввод автоклавов в режим роста и вывод из режима роста при ведении опытных циклов;
составление и корректировка графиков ввода опытных автоклавов сверхвысокого давления в режим роста и вывода из режима роста, корректировка технологических режимов в процессе выращивания кристаллов, обработка экспериментальных данных, построение графиков, таблиц по статистическим данным выращивания кристаллов пьезокварца в опытных автоклавах сверхвысокого давления с несерийными (опытными) циклами;
проведение контрольных замеров на специальных высокочастотных установках «Щ-31» на опытных аппаратах сверхвысокого давления;
обслуживание опытных многоточечных электронных установок для опытных аппаратов сверхвысокого давления;
обучение и руководство работой операторов более низких разрядов.
устройство опытных автоклавов сверхвысокого давления;
устройство опытных многоточечных электронных установок;
схемы опытных многоточечных электронных установок;
основы электротехники, электроники, теплотехники в объеме выполняемых работ;
методы выращивания пьезокварца и его разновидностей на опытных автоклавах;
основные свойства кристаллов кварца и его модификаций;
устройство потенциометрической установки для контрольных замеров;
теоретические основы обучения рабочих более низких разрядов.
Параграф 15. Шлифовщик пьезокварцевых пластин и кристаллов,
2 разряд
предварительная подшлифовка граней пластин и кристаллов пьезокварца на вращающейся планшайбе;
грубое шлифование их по контуру на планетарных и эксцентриковых плоскошлифовальных станках с соблюдением параллельности сторон и проверкой размеров с помощью микрометра;
определение режима шлифования;
наклеивание пластин на плату и склеивание пластин в стопу для шлифования;
закладка пластин в кассеты, расклеивание, промывание в бензине и очистка их от мастики;
настройка и регулирование шлифовальных станков в процессе работе;
чистка и смазка шлифовальных станков;
проверка и притирка шлифовальной шайбы.
наименование, назначение важнейших частей и принцип действия обслуживаемого оборудования;
способы шлифования пьезокварца и последовательность операций при шлифовании;
требования, предъявляемые к шлифованию пластин пьезокварца;
способы настройки, регулирования и смазки шлифовальных станков;
способы проверки и притирки шлифовальной шайбы;
способы проверки шлифовальных пластин пьезокварца, формы и размеры пластин;
способы склеивания пластин в стопу или закладки в кассеты;
правила расклеивания стопы и промывки пластин;
правила наклеивания пластин на плату, состав мастики для склеивания пластин;
методы проверки рабочей поверхностей шайбы стеклянной линейкой;
назначение и применение контрольно-измерительных инструментов;
марки и назначение абразивных порошков;
свойства пьезокарца;
основы кристаллографии кварца в объеме выполняемой работы.
1) контур текста - грубая обработка с точностью до 0,1 - 0,03 миллиметра;
склеивание заготовок в пакет;
нанесение фасок;
наклеивание заготовок на колодки;
2) пластины пьезокварцевые - шлифование по плоскости с допуском ±0.01 миллиметра на планетарных плоскошлифовальных станках.
Параграф 16. Шлифовщик пьезокварцевых пластин икристаллов, 3 разряд
шлифование пластин толщиной свыше 0,3миллиметра и кристаллов на вращающейся планшайбе по заданным размерам с соблюдением допусков по толщине ±0,005миллиметра и по контуру ±0,01 миллиметра;
шлифования фасок пьезокварцевых пластин прямоугольного сечения толщиной от 0,25 до 1 миллиметра на вращающейся планшайбе с контролем углов по шаблону и угломеру;
шлифование пластин пьезокварца на планетарных и эксцентриковых плоскошлифовальных станках по контуру и плоскостям с контролем частоты (по толщине) при помощи частотоизмерительной аппаратуры с соблюдением установленных допусков;
исправление угла среза пластины в специальном приспособлении и шлифование блоков пьезокварца с точностью ±0,01 миллиметра на плоскошлифовальном станке;
контроль толщины пластин с помощью микрометра;
проверка и притирка рабочей плоскости шайбы;
контроль правильности градуирования радиоизмерительной аппаратуры в процессе ее работы;
настройка применяемой радиоаппаратуры на заданную частоту;
приготовление абразивных порошков в зависимости от вида работы.
устройство и способы подналадки обслуживаемого оборудования;
способы шлифования пьезокварца на вращающейся планшайбе и станках;
устройство вращающейся планшайбы и плоскошлифовальных станков;
принцип работы радиоизмерительной аппаратуры;
назначение и применение контрольно-измерительных инструментов;
формы и размеры пластин;
способы и правила притирки рабочих плоскостей айбы;
рецептуру и процесс приготовления мастики для наклеивания и склеивания пьезокварцевых пластин;
способы приготовления и восстановления абразивных порошков;
способы проверки шлифовальных пластин.
1) колодки - доводка с точностью ±0,001 миллиметра;
2) пластины пьезокварцевые толщиной 0,04 - 0,5 миллиметра - шлифование с точностью ±0,005 миллиметра с посадкой по частоте, с контролем по толщине и замером частоты на генераторе;
3) пластины пьезокварцевые толщиной 0,2 - 0,5 миллиметра диаметром 5,6 миллиметров - шлифование по контуру с точностью ±0,01 миллиметра;
4) пластины пьезокварцевые толщиной 0,32миллеметра - шлифование по контуру с точностью ±0,01 миллиметра и по толщине ±0,005 миллиметра вручную на вращающейся планшайбе с контролем толщины по микрометру;
5) пластины пьезокварцевые толщиной 0,5 миллиметра - шлифование по контуру и всем плоскостям с допуском ±0,01миллиметра вручную на вращающейся планшайбе;
6) пластины пьезокварцевые толщиной 0,4 миллиметра - шлифование фасок на вращающейся планшайбе;
7) пластины пьезокварцевые толщиной 0,35 миллиметра - шлифование по контуру и плосткостям на планетарном плоскошлифовальном станке с допуском ±0,01 миллиметра.
Параграф 17. Шлифовщик пьезокварцевых пластин икристаллов,
4 разряд
шлифование вручную на вращающейся планшайбе пластин толщиной 0,2-0,3 миллиметра по всем плосткостям и контуру с соблюдением допуска ±0,002миллеметра по толщине и ±0,01миллиметра по контуру;
шлифование фасок пьезокварцевых пластин различного сечения толщиной 0,1-0,25 миллиметра на планшайбе с контролем углов по шаблону, угломеру и инструментальному микроскопу;
склеивание набора пластин в шаблоне по заданному углу;
шлифование и доводка пластин пьезокварца толщиной 0,3 миллиметра и тоньше на планетарных и эксцентриковых плоскошлифовальных станках с контролем частоты (по толщине) с помощью частотоизмерительной радиоаппаратуры с соблюдением установленного для промежуточного шлифа допуска;
обработка пьезокварцевых пластин различной конфигурации средней сложности на полировальном станке с ножным приводом или на станке полуавтомате с посадкой на оптический контакт по 8-9 квалитетам;
контроль толщины пластин с помощью миниметра;
установление правильного режима шлифования и полирования;
настройка и регулирование оборудования, применяемого в процессе работы.
назначение, устройство, кинематику, электрические схемы и правила настройки полировальных станков;
назначение и применение контрольно-измерительных инструментов и радиоизмерительной аппаратуры;
способы настройки и регулирования оборудования;
электрические, технологические и механические свойства пьезокварца;
характер влияния различных углов фасок на электрические параметры пьезокварцевых пластин;
марки, назначение полировальных порошков, абразивных паст;
назначение, рецептуру, маркировку и процесс приготовления наклеечных и полировочных смол;
квалитеты и параметры шероховатости;
способы хранения полированных пластин;
требования, предъявляемые к полированным пластинам, и способы проверки их качества.
1) пластины пьезокварцевые толщиной 0,3 миллеметра - шлифование и доводка по плоскости и контуру с допуском по толщине ±0,002миллиметра и контуру ±0,01 миллиметра;
2) пластины пьезокварцевые толщиной 0,2 миллиметра - шлифование фасок без применения шаблонов;
3) пластины пьезокварцевые толщиной 0,3 миллиметра - шлифование фасок по заданному углу со склейкой в шаблоне;
4) пластины пьезокварцевые толщиной 0,28 миллиметра - тонкое шлифование на планетарном станке с контролем частоты по заданной толщине с помощью радиоприемника и соблюдением установленного допуска;
5) пластины пьезокварцевые сферические толщиной 0,2-0,3 миллиметра - шлифование вручную с посадкой на частоту, с контролем по перекосу и толщине, с замером частоты в генераторе (допуск ±0,1 миллиметра - по контуру и 0,002 миллиметра - по толщине);
6) пластины пьезокварцевые толщиной 0,04-0,3 миллиметра -шлифовка и полировка (полиритом) с посадкой на частоту, контролем по толщине и замером в генераторе.
Параграф 18. Шлифовщик пьезокварцевых пластин и кристаллов, 5 разряд
шлифование и доводка пьезокварцевых пластин на шлифовальных станках различных типов, включая станки с числовым программным управлением ;
доводка пьезокварцевых пластин толщиной 0,2 миллиметра на вращающейся планшайбе, на планетарных и эксцентриковых плоскошлифовальных станках с контролем частоты с помощью радиоаппаратуры и соблюдением допусков ±0,001 миллиметра по толщине и ±0,005 миллиметра по контуру;
шлифование фасок пьезокварцевых пластин различных сечений, конфигураций и толщин;
обработка пьезокварцевых пластин различной конфигурации, сложности и размеров путем полирования на полировальном станке с ножным приводом или станке-полуавтомате с посадкой на оптический контакт по 6-7 квалитетам;
изготовление эталонных и пробных стекол диаметром до 80 миллиметра;
контроль частоты пьезокварцевых пластин с помощью частотоизмерительной аппаратуры;
текущий ремонт станка.
кинематику, электрические схемы и способы проверки на точность различных моделей оборудования;
конструкцию обслуживаемого оборудования;
методы и правила проверки сферических чашек;
методы контроля частоты;
способы расчета угла фасок;
способы изготовления эталонных и пробных стекол.
1) пластины пьезокварцевые толщиной 0,15 миллиметра - шлифование и доводка с допуском по толщине ±0,001 миллиметра и по контуру ±0,005 миллиметра на вращающейся планшайбе;
2) пластины пьезокварцевые толщиной до 100 микрометров - тонкое шлифование и полирование.
Параграф 19. Шлифовщик пьезокварцевых пластин икристаллов, 6 разряд
шлифование, полирование пьезокварцевых пластин различной сложности с полями допусков по 1-4 квалитету, а также пластин со сферической поверхностью с посадкой на оптический контакт по 1-4 квалитетам;
изготовление опытных образцов пластин в пределах допусков: на клиновидность и параллельность - 0,0001миллиметра;
на качество поверхности - 0,1 кольца;
по местным ошибкам - 0,05 кольца по 2 оптическому классу частоты с допуском 100 Герц;
сборка, эталонировка и окончательная сдача опытных образцов пластин по техническим условиям;
участие в разработке опытных образцов кварцевых резонаторов;
контрольные измерения пьезокварцевых пластин с помощью сложных оптических приборов;
полная наладка и участие в капитальном ремонте оптико-механического оборудования, применяемого при шлифовании и контрольных измерениях.
процесс шлифования пьезокварцевых пластин любой толщины, пластин со сферической поверхностью с применением оптико-механического оборудования и приспособлений, а также различных контрольно-измерительных приборов и инструментов, применяемых при шлифовании пластин в пределах большой точности;
способы изготовления пьезокварцевых пластин для эталонов и пьезорезонаторов (опытных образцов), а также полного изготовления пластин любой конфигурации;
теоретические расчеты частоты пьезокварцевых пластин в зависимости от их толщины и формы;
порядок наладки оборудования и приспособлений;
основы оптики и радиомеханики в пределах выполняемых работ;
способы повышения качества обрабатываемых пластин.
1) пластины пьезокварцевые со сферической поверхностью - изготовление опытных образцов.
Параграф 20. Разметчик пьезокварцевого сырья, 3 разряд
разметка кристаллов, гальки, блоков и заготовок пьезокварца под заданным углом среза;
разметка кристаллов на пласты, блоки и секции;
разметка секций на пластины для распиловки на распиловочных станках;
ориентирование кристаллов по плоскостям методом наблюдения фигур травления от точечного источника света;
ориентирование кристаллов, гальки, блоков и пластов пьезокварца по оси Z с помощью астериоскопа, полярископа и других приборов.
устройство, принцип действия и способы подналадки обслуживаемого оборудования;
способы и методы разметки кристаллов, гальки и заготовок пьезокварца под заданным углом среза, разметки кварцевого сырья по морфологическим признакам, а также разметки секций на пластины с помощью инструмента и приспособлений;
правила пользования во время работы оборудованием, контрольно-измерительными приборами, применяемыми при разметке и ориентировании кристаллов (полярископ, микроскоп, астериоском и другое);
свойства пьезокварца и правила обращения с ним при разметке и ориентировании;
основные сведения о срезах и способы определения кристаллографических осей;
припуски на обработку пьезокварца.
Параграф 21. Разметчик пьезокварцевого сырья, 4 разряд
разметка кристаллов, гальки, блоков и заготовок пьезокварца для всех срезов с применением специальных приборов, инструмента и приспособлений;
разметка секций на пластины для эталонных изделий и опытных образцов;
ориентирование кристаллов, гальки и блоков по любым плоскостям и осям с применением сложных приборов и аппаратов.
устройство, кинематику, электрическую схему, правила наладки и проверка на точность обслуживаемого оборудования;
способы и методы разметки и кристаллов, гальки, блоков и заготовок для любых срезов, а также разметки заготовок для эталонных изделий и опытных образцов;
способы и методы ориентирования кристаллов по любым плоскостям и осям;
оборудование, приспособления, инструмент, применяемые при разметки и ориентировании (поляризационный микроскоп, коноскоп, ортоскоп и другое);
пьезоэлектрические и механические свойства пьезокварца;
пороки пьезокварца и способы их распознавания.
Параграф 22. Разметчик пьезокварцевого сырья, 5 разряд
разметка кристаллов, гальки и искусственных кристаллов на прямые, косые и двоякие срезы;
классификация кварцевого сырья и распределение сырья с учетом его рационального использования;
разметка кристаллов на переходные блоки под двоякокосые срезы;
определение полярности кристаллографических осей и срезов.
кинематику, электрические схемы и способы проверки оборудования и приборов, применяемых при ориентировке кварца;
методы определения монокристаллических участков кристаллов по внешним признакам;
методы ориентировки кристаллов, блоков и заготовок с применением рентгеновских лучей фигурастеризма и удара;
методику вычисления расчетных углов на рентгеновских установках;
технологические припуски на обработку;
характеристики работ на распиловочных станках различных моделей;
обозначения различных срезов;
элементарные сведения о кристаллографии в объеме выполняемой работы.
Параграф 23. Распиловщик водорастворимых кристаллов, 2 разряд
распиловка водорастворимых кристаллов, блоков и пластов на много- и однониточных машинах с допуском по толщине ±0,1миллиметра;
распиловка кристаллов на пластины для затравок;
разметка водорастворимых кристаллов на пласты и блоки любой ориентировки;
приклеивание кристаллов сегнетовой соли или фосфата аммония к кристаллодержателю расплавленной сегнетовой солью;
установка кристаллов, блоков и пластов на много- и однониточных машинах;
ориентирование кристаллов по отношению к граням на машине с помощью специальных приспособлений;
склеивание распиловочных нитей и заправка ими машин;
подогрев и смена воды для смачивания распиловочной нити;
смена губчатой резины, предназначенной для снятия излишков воды на нитях;
смена гребенок и роликов;
чистка и смазка машин;
сбор отходов кристаллов и растворов сегнетовой соли.
принцип действия обслуживаемого оборудования;
процесс распиловки водорастворимых кристаллов;
назначение и правила применения контрольно-измерительных инструментов;
правила обращения с кристаллами и хранения их;
основные свойства водорастворимых кристаллов;
формы, назначение и расположение граней кристаллов и кристаллических осей;
углы между гранями кристалла;
методы ориентирования и разметки наиболее простых срезов относительно граней и осей кристаллов;
требования, предъявляемые к распиловке водорастворимых кристаллов;
основные сведения о припусках и допусках.
1) блоки водорастворимых кристаллов - распиловка на пластины с допуском по углу среза ±40 минут. и по толщине ±0,1 миллиметра;
2) кристаллы водорастворимые - распиловка на многониточной машине под углом среза 450 с допуском ±10;
3) кристаллы сегнетовой соли - распиловка на многониточной машине с допуском ±20.
Параграф 24. Распиловщик водорастворимых кристаллов, 3 разряд
распиловка кристаллов и пластов на пластины и блоки на много- и однониточных машинах по сложным срезам (срез Z).
распиловка шлифованных блоков на многониточной машине на пластины с допуском ±30 минут. по углу среза и ±0,05 миллиметра по толщине.
распиловка заготовок круглой формы по всем срезам.
опиловка пластов на однониточной машине.
276 Должен знать:
устройство распиловочных машин;
методы ориентирования и разметки всех срезов относительно граней и осей кристаллов;
способы наладки распиловочной машины;
устройство универсальных и специальных приспособлений, контрольно-измерительных инструментов;
основные физические и химические свойства водорастворимых кристаллов.
Параграф 25. Шлифовщик водорастворимых кристаллов, 1 разряд
шлифование плоскостей пластин водорастворимых кристаллов на влажном полотне вручную и в приспособлениях с индикатором с точностью до 0,05 миллиметра по толщине;
смачивание полотна в баке с горячей водой;
укладка пластин в кондуктор;
предварительная и окончательная обработка пластин по контуру на влажном полотне вручную с точностью до ±0,1 миллиметра;
выборка пластин из кондуктора;
протирка их влажной тканью;
проверка размеров плоскостей и контура пластин микрометром.
основные сведения об устройстве обслуживаемого оборудования;
наименование и назначение его важнейших частей;
назначение и применение измерительных инструментов и травильного полотна;
требования, предъявляемые к точности обработки кристаллических пластин;
основные сведения о линиях травления на деталях из кристаллов сегнетовой соли;
основные свойства водорастворимых кристаллов, дефекты кристаллов.
Параграф 26. Шлифовщик водорастворимых кристаллов, 2 разряд
грубое шлифование пластин водорастворимых кристаллов с допуском ±0,01 миллиметра по толщине на специальных шлифовальных станках вручную или на специальном приспособлении с концевыми мерами длины (с соблюдением параллельности сторон и проверкой размеров микрометром);
подшлифовка грани кристалла полной формы под угольник;
шлифование водорастворимых кристаллов;
обработка плоскостей пластин с точностью до ± 0,01 миллиметра на влажном полотне, в приспособлениях с индикатором и вручную;
снятие фасок;
проверка и притирка (шлифование) плоскостей шлифовального стекла и стеклянных притирочных плит;
установление правильного режима шлифования;
протирка пластин тканью;
настройка и регулирование шлифовальных станков в процессе работы, их чистка и смазка.
принцип действия обслуживаемого оборудования;
устройство шлифовальных станков;
способы шлифования пластин и последовательность операций при шлифовании;
назначение и применение контрольно-измерительных инструментов;
форму и размеры пластин;
устройство приспособлений для шлифования водорастворимых кристаллов;
методы проверки и притирки шлифовального стекла и притирочных плит;
способы настройки, регулирования и смазки шлифовальных станков;
способы проверки шлифовальных пластин;
физические, механические и химические свойства водорастворимых кристаллов;
марки и назначение стеклянных притирочных плит.
Параграф 27. Шлифовщик водорастворимых кристаллов, 3 разряд
шлифование пластин водорастворимых кристаллов отмученными микрошлифпорошками с допуском по толщине ±0,003 миллиметра и плоскопараллельности ±0,01 миллиметра на специальных шлифовальных станках или вручную с проверкой размеров оптиметром и микрокатором (микрометром);
шлифование блоков под угольник с допуском по толщине ±0,01 миллиметра с замером микрометром;
подтравливание пластин на влажном полотне с замером угольником, оптиметром и микрометром с допуском ±0,01 миллиметра;
шлифование торцов блоков водорастворимых кристаллов на стеклянной притирочной плите с отмученным шлифпорошком с керосеном с допуском по высоте и толщине от 0,5 до 0,1 миллиметра и плоскопараллельности 0,03 миллиметра;
снятие фасок на притирочной плите;
доводка пьезопакетов из сегнетовой соли;
проверка пакетов угольником, микрометром, микрокатором;
металлизация поверхностей пьезопакетов сусальным серебром;
обклеивание пьезопакетов после металлизации поверхностей фольгой;
наклеивание номерков;
промывание пластин в керосине и протирка тканью;
шлифование стеклянных притирочных плит.
устройство и способы подналадки обслуживаемого оборудования;
методы шлифования пьезопакетов, способы снятия фасок и доводки пьезопакетов;
методы подтравливания пластин на влажном полотне;
способы применения и назначения контрольно-измерительных приборов;
форму и размеры пьезопакетов;
методы пайки электродов, металлизации поверхности сусальным серебром;
требования, предъявляемые к шлифованию пьезопакетов;
способы проверки шлифовальных пакетов.
Глава 4. «Производство радиодеталей»
Параграф 1. Формовщик анодов, 3 разряд
электрохимическая формовка анодов танталовых и оксидно-полупроводниковых алюминиевых конденсаторов;
приготовление и заливка электролита в ванны;
регулирование и подача напряжения на ванны;
контроль температуры электролита;
проверка реакции среды электролита при помощи универсальной индикаторной бумаги.
устройство и правила подналадки обслуживаемого оборудования;
электрическую схему подключения агрегатов и щита управления с приборами, правила регулирования напряжения:
состав, способы приготовления и корректировки формовочных электролитов;
технические характеристики формованных анодов;
таблицу формовочных напряжений;
режимы формовки.
1) конденсаторы оксидно-полупроводниковые танталовые, оксидно-полупроводниковые алюминиевые, электролитические танталовые - формовка анодов на установках формовки и приготовление электролита.
Параграф 2. Аппаратчик, 2 разряд
ведение процесса химводоочистки, обслуживание водоподготовительной установки и аппаратов конденсатоочистки подогревателей, отстойников, сатураторов, катионитовых установок, деаэраторов общей производительностью до «100 тонн в час»;
термохимическое умягчение воды;
регулирование производительности аппаратуры, зарядка ее и продувание;
ведение химического контроля и анализа;
регенерация реагентов, очистка и промывание аппаратуры;
пуск и остановка насосов;
наблюдение за показателями контрольно-измерительных приборов;
взвешивание и приготовление реактивов;
определение жесткости, щелочности и других показателей качества химически очищенной воды.
основные химические процессы осветления, умягчения, пассивации и подкисления питательной воды;
схему водоочистки, конструкцию и принцип работы фильтров, подогревателей, дозеров, насосов, деаэраторов, сатураторов, отстойников и других аппаратов;
наименования и назначение химических реагентов и реактивов,
рименяемых в процессе химводоочистки;
правила регенерации фильтров;
назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов.
Параграф 3. Аппаратчик, 3 разряд
напыление селена и висмута на алюминиевые листы в вакуумных аппаратах;
нанесение кадмия на заготовки селеновых выпрямительных элементов;
висмутирование фольги в рулоне;
нахождение с помощью течеискателя натекания воздуха в вакуумных установках;
определение по внешнему виду качества нанесения селена, висмута, кадмия.
устройство и принцип работы вакуумных установок и аппаратов для нанесения слоя кадмия, висмута, селена;
принцип действия и устройство пульта управления вакуумными установками;
правила подготовки вакуумных установок и аппаратов к работе;
принцип работы течеискателя и контрольно-измерительных приборов;
правила проверки герметичности вакуумных систем, способы подготовки к работе и закрепления испарителя в вакуумной установке.
Параграф 4. Аппаратчик, 4 разряд
ведение процесса кадмирования заготовок селеновых выпрямительных элементов в высоковольтных, вакуумных установках;
подготовка к работе и загрузка заготовками высоковольтных установок для кадмирования.
устройство и принцип работы высоковольтных вакуумных установок для кадмирования заготовок селеновых элементов;
кинематику, электрическую и вакуумные схемы;
правила наладки и проверки на точность обслуживаемого оборудования;
устройство, назначение и условия применения контрольно-измерительных приборов;
систему допусков на селеновые выпрямительные элементы.
Параграф 5. Аппаратчик, 5 разряд
ведение процесса непрерывного покрытия заготовок выпрямительных элементов селеном, висмутом, кадмием;
настройка и регулирование электронных терморегуляторов на пультах питания и других механизмах автоматической линии непрерывного нанесения различных покрытий в производстве выпрямительных элементов;
выявление причин и устранение неисправностей в вакуумных аппаратах и на высоковольтных установках.
кинематику, электрическую и вакуумную схемы и способы проверки на точность вакуумной и автоматической линии непрерывного покрытия заготовок селеном, висмутом, кадмием;
причины и способы устранения неисправностей вакуумных аппаратов;
правила определения режимов процесса покрытия выпрямительных элементов;
правила настройки и регулирования контрольно-измерительных инструментов;
основы применения вакуумной техники и физики пленочных покрытий.
Параграф 6. Аппаратчик, 6 разряд
ведение процесса непрерывного покрытия заготовок выпрямительных элементов селеном, висмутом, теллуром, кадмием, таллием на автоматической линии в агрегатах вакуумных покрытий шлюзовального типа с многодвигательным синхронным и автоматизированным приводом;
настройка и регулирование электронных терморегуляторов на пультах питания;
настройка и управление автоматическими линиями с пульта управления;
наладка отдельных узлов и механизмов автоматической линии непрерывного покрытия;
регулирование толщины слоев пленочных покрытий в производстве выпрямительных элементов.
кинематику, электрическую и вакуумную схемы поточных многошпиндельных линий с синхронным и автоматизированным приводами;
методы отладки, настройки и регулировки сложных электрических схем с применением электроники;
схемы электрические автоматического дистанционного управления;
электроприводы со сложными схемами управления в раздельном режиме работы (автоматическом и ручном);
порядок определения режимов процесса покрытия выпрямительных элементов;
правила настройки и регулирования контрольно-измерительных инструментов;
основы применения вакуумной техники;
основы теории физики полупроводников;
химические свойства материалов в производстве селеновых выпрямителей.
Параграф 7. Испытатель вакуумных покрытий, 2 разряд
определение привесов селена, кадмия и других материалов на аналитических весах;
определение по таблице толщины вакуумных покрытий;
проведение на основании контроля необходимых корректировок режимов.
назначение и условия применения контрольно-измерительных инструментов и приборов;
основные сведения о величинах допусков на пленочные покрытия;
квалитеты полупроводниковых выпрямителей;
назначение операции нанесения кадмия, висмута, селена;
основные свойства применяемых материалов.
Параграф 8. Испытатель вакуумных покрытий, 3 разряд
контроль привеса кадмия, висмута, селена после нанесения покрытий в вакууме;
замер электрических параметров селеновых элементов;
корректировка на основании замеров отдельных технологических режимов по нанесению в вакууме селена, висмута, катодного распыления кадмия;
расчет и составление таблиц по толщине вакуумного покрытия в зависимости от привеса.
технические условия и государственные стандарты на селеновые выпрямительные элементы;
основные виды обработки по технологическому циклу;
способы испытаний и проверки селеновых элементов;
устройство контрольно-измерительных приборов и инструментов;
правила корректирования режимов вакуумных покрытий по результатам измерения величины привеса и замерам электрических параметров для данной партии селена, висмута, кадмия.
Параграф 9. Испытатель вакуумных покрытий, 4 разряд